Deposition features of ferroelectric thin films at high-frequency magnetron sputtering
Abstract
Получены профили распределения скорости нанесения при высокочастотном (ВЧ) магнетронном распылении сегнетоэлектрических мишеней танталата стронция-висмута (SBT) и ниобата-танталата стронция висмута (SBTN) в Ar/O2 смеси газов. Установлено, что при распылении SBT и SBTN мишеней в центре зоны распыления скорость нанесения значительно превышает скорость нанесения, характерную для распыления на постоянном токе, что является следствием генерации в разрядной зоне магнетрона отрицательно заряженных ионов. Предложена модель расчета распределения толщины наносимых пленок при ВЧ магнетронном распылении, которая учитывает поток формирующихся отрицательно заряженных ионов.
About the Authors
J. E. Okojie
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Belarus
Belarus
D. A. Golosov
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Belarus
Belarus
References
1. Martin L.W., Rappe A.M. Thin-film ferroelectric materials and their applications // Nature Reviews Materials. 2016. Vol. 2. P. 16087-1-14.
2. Development of ferroelectric RAM (FRAM) for mass production / Eshita T. [et al.] // J. Phys. Science and Application. 2015. Vol. 5. P. 29-32.
3. The increase in thickness uniformity of films obtained by magnetron sputtering with rotating substrate / Golosov D.A. [et al.] // Plasma Physics and Technology. 2016. Vol. 3, № 3. P. 100-104.
Review
For citations:
Okojie J.E., Golosov D.A. Deposition features of ferroelectric thin films at high-frequency magnetron sputtering. Doklady BGUIR. 2018;(4):87-93. (In Russ.)
Views: 368
Email this article 