Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 7 (2016) | ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРЕХМЕРНЫЙ МАГНИТОМЕТР НА ОСНОВЕ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ПО СТАНДАРТНОЙ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. ХА. Дао, В. С. Волчёк, М. С. Баранова, И. Ю. Ловшенко, Д. Ч. Гвоздовский, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... The results of the device simulation of a three-dimensional magnetometer based on Hall sensors ..." | ||
| № 4 (2018) | ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. ХА. Дао, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... The results of device-technological and schematic simulation of the silicon Hall sensor ..." | ||
| № 1 (2013) | ЭФФЕКТИВНЫЙ СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ НЕНАДЕЖНЫХ КМОП СХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Белоус, А. В. Прибыльский | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... The software to simulate radiation resistance of MOSFET transistors, the basic elements of CMOS ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... is analyzed using the Hall method. The effect of annealing in vacuum, an oxygen atmosphere, and a nitrogen ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| № 2 (2016) | МЕТОДИКА УГЛОВОГО ОПТИЧЕСКОГО СКАНИРОВАНИЯ ПЛОСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ДЛЯ СИСТЕМ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗРЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Богуш | ||
| "... obtained with the photodetector CMOS matrix scanner is proposed. ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... and implementation of new highly-sensitive radiation detectors, magnetometers, QPS qubits, QPS transistors ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Конструкция и характеристики неохлаждаемых болометрических инфракрасных решеток на основе аморфного кремния | Аннотация похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко, К. В. Корсак, Динь Ха Дао | ||
| "... with the silicon CMOS technology, and high detecting performance; therefore recently it became a hot spot ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, К. В. Корсак, П. Э. Новиков, И. Ю. Ловшенко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. А. Степанов, А. А. Губаревич, В. В. Колос, Я. А. Соловьев, Д. С. Левчук, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... with silicon CMOS technology, and operation at room temperature. The performance of such detectors depends ..." | ||
| № 8 (2015) | ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ПРЯМЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ИОННЫХ ПУЧКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш, А. П. Достанко, А. Ю. Вашуров | ||
| "... ion beams on substrates from a glass and silicon with use of the end Hall accelerator as a ion source ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... that the reliability improvement for the CMOS integrated circuits of time devices during the rapid thermal treatment ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, В. Т. Шандарович | ||
| "... manufactured using submicron CMOS processes, the greatest influence is exerted by radiation effects caused ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
| "... coefficient of resistance, we performed Hall measurements at a temperature of 2 K, which allowed us ..." | ||
| 1 - 14 из 14 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
