Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... The software to simulate radiation resistance of MOSFET transistors, the basic elements of CMOS ..." | ||
| № 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm. ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, В. Т. Шандарович | ||
| "... characteristics of n-MOSFET device structure. The dependences of the maximum drain current IС on the motion ..." | ||
| № 3 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока | ||
| "... and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital ..." | ||
| № 7 (2014) | ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. А. Кулешов | ||
| "... Current-voltage characteristics of MOSFET are obtained by computer simulation and their analysis ..." | ||
| № 3 (2016) | Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский, С. А. Сорока, С. В. Шведов, Д. А. Огородников | ||
| "... transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... -channel transistors were selected: drain current from the gate voltage when diode-connected; output ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor ..." | ||
| № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик | ||
| "... адекватности результатов моделирования наноразмерных МОП-структур. ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... with such a field-effect transistor are possible only if there are models that adequately describe the features ..." | ||
| № 7 (2015) | ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ УСТРОЙСТВА СЕЛЕКЦИИ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ДИСТАНЦИОННОГО СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Мельников, В. А. Мельников | ||
| "... spectrometric control laser radiation unit are given. Miller effect influence for high voltage MOSFET switching ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... as the analyzed parameters of n- and p-channel transistors: at the gate when diode-connected; on the drain ..." | ||
| № 5 (2018) | ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка ..." | ||
| № 8 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... A new approach of nanoscale MOSFETs electrical characteristics calculating, the essence of which ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... in the gallium nitride high electron mobility transistor lead to the forming of a hot spot in the vicinity ..." | ||
| № 4 (2013) | ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак | ||
| "... (concentration level in the emitter of the bipolar transistor as apart of the IGBT structure, implantation dose ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... performed. The breakdown voltage of the p-channel of the test transistor was measured by applying the linear ..." | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The use of dual-gate field-effect transistors located on the base matrix crystal MH2XA031 ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... characteristics features of DpHEMT experimental samples, which exclude use of those transistors at low drain ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... at the application of heterostructure field-effect transistors – high electron mobility transistors–as a base ..." | ||
| № 3 (2017) | УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич | ||
| "... The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement ..." | ||
| № 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
| № 2 (2017) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, В. И. Плебанович, А. И. Бересневич, И. А. Бурак | ||
| "... of the functional parameters of three types of high-power transistors as the representatives of electronic products ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... devices of long-term functioning. In relation to bipolar transistors, an approach is proposed that allows ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... bipolar transistors in this work show how you can select copies of an increased level of reliability ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... of the tested bipolar transistors, as well as the results of the reliability analyses by conducting thermal ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... the conditions for conducting accelerated forced tests in relation to high-power bipolar transistors of the KT872 ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... containing complementary bipolar transistors, together with the developed circuits of the OAmp9 high-speed ..." | ||
| № 2 (2014) | ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, С. А. Костюченко | ||
| "... and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented. ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... temperature inside the gallium nitride heterostructure field-effect transistor lead to the formation of a hot ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, И. Ю. Ловшенко, Чонг Тхань Нгуен | ||
| "... analog microcircuits, including the developed equivalent electrical circuit of a bipolar transistor ..." | ||
| № 6 (2013) | МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... failures of bipolar transistors. It allows the reaction of the functional parameter specific instance ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... up to minus 197 °С and developed on bipolar transistors and junction field-effect transistors ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Я. Д. Галкин, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... bipolar and junction field-effect transistors. The purpose of this article is to estimate the effect ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... and implementation of new highly-sensitive radiation detectors, magnetometers, QPS qubits, QPS transistors ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... transistor lead to the formation of a hot spot near the conductive channel and result in the degradation ..." | ||
| № 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
| "... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..." | ||
| № 5 (2019) | Формирование пленок оксида титана методом реактивного магнетронного распыления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Вилья, Д. А. Голосов, Т. Д. Нгуен | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв | ||
| "... характеристики диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник (МОП), учитывающей ..." | ||
| Том 22, № 2 (2024) | Перспективные оптические и электронные межсоединения элементов интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, Н. В. Гапоненко, Г. Г. Горох, А. А. Лешок, Д. Б. Мигас, Е. Б. Чубенко | ||
| "... микросхем. Представлены примеры использования наноструктурированных материалов для предложенных ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The developed model of a resistive-transistor thermoelectric converter, the technique ..." | ||
| № 8 (2016) | ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Плебанович, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, И. А. Бурак | ||
| "... Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ ..." | ||
| № 4 (2014) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ТОКОВЕДУЩИХ ЭЛЕМЕНТАХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В РЕЗУЛЬТАТЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев, В. Л. Ланин, В. Г. Левин | ||
| "... токоведущих элементах интегральных микросхем вследствие контактного воздействия разряда статического ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский | ||
| "... коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... of parameters. On the example of bipolar transistors of the KT872A type, the regularities of electrical ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Формирование и трансформация термостабильных токов посредством составных униполярных и биполярно-униполярных структур интегральной схемотехники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Свирид | ||
| "... Current transformers (reflectors) based on unipolar (field-effect) transistors are being studied ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
| "... of a transistor structure with a two-dimensional channel, due to the self-organization of charge and capacitive ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Шуленкова, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, М. В. Киросирова | ||
| "... choice for use in the production of various devices, such as LEDs and transistors, cover glasses ..." | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Оценка депрессивного состояния оператора мобильных технических систем под воздействием электромагнитного шумового излучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Сидоренко, Н. А. Солодухо | ||
| "... by a transistor electromagnetic-noise generator with the power of 30 mW operating over the frequency range of 5 ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. | Аннотация похожие документы |
| I. Yu. Lovshenko, A. Yu. Voronov, P. S. Roshchenko, R. E. Ternov, Ya. D. Galkin, A. V. Kunts, V. R. Stempitsky, Jinshun Bi | ||
| "... of the device structure of dual-channel high electron mobility field effect transistor based on GaAs ..." | ||
| № 7 (2013) | ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ПРОГНОЗ ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| № 6 (2013) | КАЛИБРОВКА СИСТЕМЫ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОВОДНИКОВ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Н. Губчик | ||
| "... положения проводника, соединяющего полупроводниковую микросхему с подложкой. Строится нелинейная модель ..." | ||
| № 2 (2013) | ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ В СТАТИСТИЧЕСКОМ ПРОЕКТИРОВАНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Г. Павлов, Т. Ч. Чан, А. И. Костров, В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... интерпретации промышленных измерений результатов формирования элементов интегральных микросхем (ИМС ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Анализ влияния программно-аппаратных шумов на результаты цифровой обработки сигналов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Шарамет | ||
| "... обработки. На примере характеристик отдельных микросхем показано, что применение одних типов микросхем в ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... -speed transistor structures operating in the microwave and very high frequency ranges. ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Двулучевая лазерная очистка кварцевого сырья | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Емельянов, Е. Б. Шершнев, С. И. Соколов | ||
| "... , применяемых при производстве микросхем. ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Д. В. Шестовский | ||
| "... параметров оксидов затвора методом БТО, что представляет интерес для интегральных микросхем (ИС) с большой ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Анализ программ для расчета системных характеристик сверхширокополосных радиоприемных трактов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Архипенков | ||
| "... них существуют недостатки, например, отсутствие редактируемой базы данных интегральных микросхем ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... /GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron ..." | ||
| 1 - 64 из 64 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
