ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА
Аннотация
Представлены результаты приборно-технологического и схемотехнического моделирования кремниевого датчика Холла с целью определения его динамических характеристик. Исследовано влияние размеров активной области, определены теоретическое и фактическое значения верхнего предела полосы пропускания датчика Холла с учетом внутренней паразитной емкости, а также при наличии и отсутствии емкостной нагрузки. Промоделированы характеристики датчика Холла, совмещенного на одном кристалле с дифференциальным усилителем.
Об авторах
Д. ХА. Дао
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Bandwidth limits in Hall effect based current sensors / C. Marco [et al.] // Acta Imeko. 2017. Vol. 6, No. 4. P. 17-24.
2. Crescentini M., Romani A., Sangiorgi E. Physical simulations of response time in Hall sensor devices // Ultimate Integration on Silicon (ULIS). 2014. P. 89-92.
3. Optimum Design Rules for CMOS Hall Sensors / M. Crescentini [et al.] // Sensors. 2017. Vol. 17. P. 1-13.
4. MLX91208, 250 kHz Programmable IMC-Hall Current Sensor [Electronic resource]. URL: https://www.melexis.com/-/media/files/documents/datasheets/mlx91208-datasheet-melexis.pdf (access date: 16.05.2018).
5. ACS709, High-Bandwidth, Fast Fault Response Current Sensor IC in Thermally Enhanced Package [Electronic resource]. URL: https://www.allegromicro.com/en/Products/Current-Sensor-ICs/Zero-To-Fifty-Amp-Integrated-Conductor-Sensor-ICs/ACS709/ACS709-Frequently-Asked-Questions.aspx (access date: 16.05.2018).
6. Allegro A1363 [Electronic resource]. - URL: http://allegromicro.com/en/Products/Current-Sensor-ICs/SIP-Package-Zero-To-Thousand-Amp-Sensor-ICs/A1363.aspx.
7. Popovic R. Hall Effect Devices. CRC Press, Boca Raton (FL). 2004. 426 p.
8. Дао Динь Ха, Стемпицкий В.Р. Исследование характеристик датчика холла с различной геометрией активной области // Нано- и микросистемная техника. 2018. T. 20, № 3. С. 174-186.
9. Paun M., Sallese J., Kayal M. Comparative Study on the Performance of Five Different Hall Effect Devices // Sensors. 2013. Vol. 13. P. 2093-2112.
10. Абрамов И. Моделирование элементов интегральных схем: учеб. пособие. Минск: Изд. БГУ, 1999. 92 с.
11. Нелаев В., Стемпицкий В. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск: БГУИР, 2008. 220 с.
12. Silvaco [Electronic resource]. - URL: https://www.silvaco.com (access date: 16.05.2018).
13. Dao Dinh Ha, Stempitsky V., Tran Tuan Trung. Verilog-A compact model of the silicon Hall element // Integrated Circuits, Design, and Verification. 2017. P. 41-46. References
14. Bandwidth limits in Hall effect based current sensors / C. Marco [et al.] // Acta Imeko. 2017. Vol. 6, No. 4. P. 17-24.
15. Crescentini M., Romani A., Sangiorgi E. Physical simulations of response time in Hall sensor devices // Ultimate Integration on Silicon (ULIS). 2014. P. 89-92.
16. Optimum Design Rules for CMOS Hall Sensors / M. Crescentini [et al.] // Sensors. 2017. Vol. 17. P. 1-13.
17. MLX91208, 250 kHz Programmable IMC-Hall Current Sensor [Electronic resource]. URL: https://www.melexis.com/-/media/files/documents/datasheets/mlx91208-datasheet-melexis.pdf (access date: 16.05.2018).
18. ACS709, High-Bandwidth, Fast Fault Response Current Sensor IC in Thermally Enhanced Package [Electronic resource]. URL: https://www.allegromicro.com/en/Products/Current-Sensor-ICs/Zero-To-Fifty-Amp-Integrated-Conductor-Sensor-ICs/ACS709/ACS709-Frequently-Asked-Questions.aspx (access date: 16.05.2018).
19. Allegro A1363 [Electronic resource]. - URL: http://allegromicro.com/en/Products/Current-Sensor-ICs/SIP-Package-Zero-To-Thousand-Amp-Sensor-ICs/A1363.aspx.
20. Popovic R. Hall Effect Devices. CRC Press, Boca Raton (FL). 2004. 426 p.
21. Дао Динь Ха, Стемпицкий В.Р. Исследование характеристик датчика холла с различной геометрией активной области // Нано- и микросистемная техника. 2018. T. 20, № 3. С. 174-186.
22. Paun M., Sallese J., Kayal M. Comparative Study on the Performance of Five Different Hall Effect Devices // Sensors. 2013. Vol. 13. P. 2093-2112.
23. Абрамов И. Моделирование элементов интегральных схем: учеб. пособие. Минск: Изд. БГУ, 1999. 92 с.
24. Нелаев В., Стемпицкий В. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск: БГУИР, 2008. 220 с.
25. Silvaco [Electronic resource]. - URL: https://www.silvaco.com (access date: 16.05.2018).
26. Dao Dinh Ha, Stempitsky V., Tran Tuan Trung. Verilog-A compact model of the silicon Hall element // Integrated Circuits, Design, and Verification. 2017. P. 41-46.
Рецензия
Для цитирования:
Дао Д.Х., Стемпицкий В.Р. ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА. Доклады БГУИР. 2018;(4):64-70.
For citation:
Dao D.H., Stempitsky V.R. Frequency characteristics of integral Hall sensor. Doklady BGUIR. 2018;(4):64-70. (In Russ.)
Просмотров: 2548
Послать статью по эл. почте 