ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ
Аннотация
Представлены результаты исследований температурных зависимостей коэффициентов умножения темнового тока и фототока для кремниевых фотоэлектронных умножителей. Показано, в какой степени снижение температуры влияет на изменение коэффициента усиления фототока и приводит к уменьшению последовательного сопротивления микроплазменного пробоя.
Об авторах
М. А. Асаёнок
Белорусская государственная академия связи
Беларусь
Беларусь
О. Ю. Горбадей
Белорусская государственная академия связи
Беларусь
Беларусь
А. О. Зеневич
Белорусская государственная академия связи
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем: моногр. Минск: УО ВГКС, 2012. 276 с.
2. Гулаков И.Р., Холондырев С.В. Метод счета фотонов в оптико-физических измерениях Минск: Университетское, 1989. 256 с.
3. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках: моногр. Л.: Энергия, 1980. 152 с.
Рецензия
Для цитирования:
Асаёнок М.А., Горбадей О.Ю., Зеневич А.О. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ. Доклады БГУИР. 2018;(2):54-58.
For citation:
Asayonak M.A., Gorbadey O.Yu., Zenevich A.O. Temperature characteristics of silicon photoelectronic multipliers. Doklady BGUIR. 2018;(2):54-58. (In Russ.)
Просмотров: 311
Послать статью по эл. почте 