Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ

Полный текст:

Аннотация

Представлены результаты исследований температурных зависимостей коэффициентов умножения темнового тока и фототока для кремниевых фотоэлектронных умножителей. Показано, в какой степени снижение температуры влияет на изменение коэффициента усиления фототока и приводит к уменьшению последовательного сопротивления микроплазменного пробоя.

Об авторах

М. А. Асаёнок
Белорусская государственная академия связи
Беларусь


О. Ю. Горбадей
Белорусская государственная академия связи
Беларусь


А. О. Зеневич
Белорусская государственная академия связи
Беларусь


Список литературы

1. Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем: моногр. Минск: УО ВГКС, 2012. 276 с.

2. Гулаков И.Р., Холондырев С.В. Метод счета фотонов в оптико-физических измерениях Минск: Университетское, 1989. 256 с.

3. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках: моногр. Л.: Энергия, 1980. 152 с.


Для цитирования:


Асаёнок М.А., Горбадей О.Ю., Зеневич А.О. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ. Доклады БГУИР. 2018;(2):54-58.

For citation:


Asayonak M.A., Gorbadey O.Y., Zenevich A.O. Temperature characteristics of silicon photoelectronic multipliers. Doklady BGUIR. 2018;(2):54-58. (In Russ.)

Просмотров: 27


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)