Gravimetric methods for determining porosity of anodically treated silicon: features of realization and accuracy estimation
Abstract
About the Authors
S. A. ZavatskiBelarus
A. V. Bondarenko
Belarus
References
1. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника. 1978. № 15. С. 3-47.
2. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P. 1046-1048.
3. Выращивание методом МЛЭ гомоэпитаксиальных слоев кремния на поверхности пористого кремния после низкотемпературной очистки ее в вакууме/ В.Г. Шенгуров [и др.] // Микроэлектроника. 1993. Vol. 22. С. 19-21.
Review
For citations:
Zavatski S.A., Bondarenko A.V. Gravimetric methods for determining porosity of anodically treated silicon: features of realization and accuracy estimation. Doklady BGUIR. 2017;(8):21-25. (In Russ.)