PREDICTION OF INFORMATION STORAGE TIME AFTER POWER OFF FOR INTEGRATED CIRCUITS OF EEPROM
Abstract
For crystals of EEPROM integrated circuits (ICs) a method for predicting of information storage time after the power is turned off is provided. Prediction is performed using the accelerated tests, which are considered as the temperature effects that accompany the technological operations in the premises of the crystal body and the ICs assembly. All technological IC assembly operations have complex effect. For this effect, estimated coefficient of acceleration tests is founded. Also for normal operating conditions of the ICs it's found the guaranteed time of information storage after power off.
About the Authors
V. I. Plebanovich
Научно-производственное объединение «Планар»
Belarus
Belarus
S. M. Borovikov
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
E. N. Shneiderov
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
I. A. Burak
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
References
1. Технические условия АДБК.431200.197 ТУ. Микросхемы интегральные серии ЭКР1568, К1568, ЭКФ1568, IL9005N, INA84C122D, INA84C641NS-168, INA84C641NS-268, INA84C641NS-368, INA84C641NS-468, INF8594EN, INA8583N, INF8582EN-2, INF85116-3N.
2. Технические условия РБ 10024905.061-2003 Микросхемы интегральные IN24LC04BN, IN24LC04BD.
3. Отраслевой руководящий документ РД 11 0755-90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.
4. Боровиков С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. М., 2013.
5. Горлов М.И. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж, 1992.
Review
For citations:
Plebanovich V.I., Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Burak I.A. PREDICTION OF INFORMATION STORAGE TIME AFTER POWER OFF FOR INTEGRATED CIRCUITS OF EEPROM. Doklady BGUIR. 2016;(8):10-16. (In Russ.)
Views: 1390
Email this article 