Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА АЛЮМИНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПЛАНАРНЫХ МИКРОСТРУКТУРАХ НАНОФОТОНИКИ

Аннотация

Анализируются различные методы формирования люминесцентных пленочных структур на основе анодного оксида алюминия. Изготовление люминесцентных структур анодированием алюминия в щавелевой кислоте позволяет получить видимую невооруженным глазом фотолюминесценцию в синем диапазоне, которая сохраняется при хранении образцов в комнатных условиях в течение года и более. Ксерогель оксида алюминия, приготовленный в виде порошка, также демонстрирует люминесценцию в синем диапазоне, которая исчезает полностью после отжига порошка при температуре 800 ºС. Исследована фотолюминесценция пористого анодного оксида алюминия, содержащего тербий, осажденный из растворов солей или в составе ксерогеля оксида алюминия, сформированного в порах анодного оксида алюминия. Обсуждаются перспективы формирования планарных микроструктур с использованием пористого анодного оксида алюминия, поддерживающих электромагнитные моды шепчущей галереи.

Об авторах

Л. С. Хорошко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Т. И. Ореховская
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


М. В. Меледина
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


И. А. Николаенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. C. Кочев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. М. Ашариф
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Б. С. Колосницын
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Н. В. Гапоненко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. В. Мудрый
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Беларусь


Список литературы

1. Cai M., Painter O., Vahala K.J. // Optics letters. 2000. Vol. 25, №19. P. 1430-1432.

2. Vahala K.J // Nature. 2003. Vol. 424. P. 839-846.

3. Gaponenko S. V. // Introduction to Nanophotonics. Cambridge University Press. 2010. P. 484.

4. Polman A., Min B., Kalkman J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, №7. P. 1037-1039.

5. Yang L., Armani D.K // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, №5. P. 825.

6. Knight J. C., Dubreuil N., Sandoghdar V. et al. // Optics Letters. 1996. Vol. 21, №10. P. 698-700.

7. Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Мн., 2003.

8. Позняк А.А. Модифицированный анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Мн., 2007.

9. Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Мн., 2011.

10. Wu J.H, Wu X.L., Tang N. et al. // Appl. Phys. А. 2001. Vol. 72. P. 735-737.

11. Du Y., Cai W.L., Mo C.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74, №20. P. 2951-2953.

12. Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2004. Т. 46, №12. С. 2143-2147.

13. Кортов В.С. , Мильман И.И. , Никифоров С.В. // Физика твердого тела. 1997. Т. 39, №9. С. 1538-1543.

14. Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2003. Т. 45, № 7. С. 1202-1208.

15. Gaponenko N.V., Kortov V.S., Smirnova N.P. et al. // Microelectronic Engineering. 2012. Vol. 90. P. 131-137.


Рецензия

Для цитирования:


Хорошко Л.С., Ореховская Т.И., Меледина М.В., Николаенко И.А., Кочев А.C., Ашариф А.М., Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В., Мудрый А.В. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА АЛЮМИНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПЛАНАРНЫХ МИКРОСТРУКТУРАХ НАНОФОТОНИКИ. Доклады БГУИР. 2012;(5):16-20.

For citation:


Khoroshko L.S., Orekhovskaya T.I., Meledina M.V., Nikolaenko I.A., Kochev A.S., Asharif A.M., Kolosnitsyn B.S., Gaponenko N.V., Mudry A.V. LUMINESCENCE OF ALUMINUM OXIDE FILMS AND PERSPECTIVES OF THEIR APPLICATION IN NANOPHOTONICS PLANAR MICROSTRUCTURES. Doklady BGUIR. 2012;(5):16-20. (In Russ.)

Просмотров: 1378


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)