Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Вертикальные токопроводящие переходы в диэлектрических подложках на основе анодного оксида алюминия

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-5-5-11

Аннотация

Развитие технологий 2,5D- и 3D-интеграций кристаллов предъявляет к корпусам изделий микроэлектроники повышенные требования. Для изготовления корпусов перспективным материалом является анодный оксид алюминия, который позволяет формировать межслойные вертикальные электрические соеди нения различных слоев без дополнительных операций создания отверстий в межслойной изоляции. Это дает возможность получать на поверхности последующие слои с хорошей планаризацией. В статье рассмотрен способ изготовления подложек из пористого анодного оксида алюминия с изолированными токопроводящими площадками с помощью сквозного локального анодирования алюминия. Приведена методика исследования изоляционных свойств полученных диэлектрических подложек с различными способами улучшения качества изоляции токопроводящих каналов. Представлены результаты исследования токов утечки изолированных токопроводящих каналов в зависимости от приложенного напряжения.

Об авторах

А. Д. Цаладонов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Беларусь

Цаладонов А. Д., магистрант каф. микро- и наноэлектроники, 

Минск.



Д. В. Ревенько
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Беларусь

Ревенько Д. В., магистрант каф. микро- и наноэлектроники, 

Минск.



С. А. Биран
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Беларусь

Биран Сергей Андреевич, ст. преп. каф. микро- и наноэлектроники,

220013, Минск, ул. П. Бровки, 6.

Тел.: +375 17 293-88-90



А. В. Короткевич
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Беларусь

Короткевич А. В., канд. техн. наук, доц., доц. каф. микро- и наноэлектроники, 

Минск.



П. Э. Новиков
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Беларусь

Новиков П. Э., инж.-электрон. науч.-исслед. лаб. «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем», 

Минск.



К. В. Корсак
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР)
Беларусь

Корсак К. В., мл. науч. сотр. науч.-исслед. лаб. «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем», 

Минск.



Список литературы

1. Advanced Packaging Market Size, Share & Trends Analysis Report by Packaging Type (Flip-Chip, Fan-Out WLP, Embedded-Die, Fan-In WLP, 2.5D/3D), Application (Consumer Electronics, Automotive, Industrial, Healthcare), Region, with Growth Forecasts, 2025–2030 [Electronic Resource]. Mode of access: https://www.researchandmarkets.com/reports/6085858/advanced-packaging-market-size-share-and-trends. Date of access: 26.05.2025.

2. Advanced Packaging Market: Global Industry Analysis and Forecast (2024–2030) [Electronic Resource]. Mode of access: https://www.maximizemarketresearch.com/market-report/global-advanced-packaging-market/30807/ Date of access: 26.05.2025.

3. Гагарина, Л. Г. Особенности разработки метода классификации плоских QFN-корпусов для применения в составе автоматизированных систем технической подготовки производства изделий микроэлектроники / Л. Г. Гагарина, Ю. В. Рубцов // Известия вузов. Электроника. 2022. Т. 27, № 3. С. 322–332.

4. Hosseinabadi, Z. Developing Cu Pore-Filling Percentage in Hard Anodized Anodic Aluminum Oxide Templates with Large Diameters / Z. Hosseinabadi, A. Ramazani, M. Almasi Kash // Materials Chemistry and Physics. 2015. Vol. 260.

5. Nanostructured Anodic-Alumina-Based Dielectrics for High-Frequency Integral Capacitors / A. Mozalev [et al.] // Thin Solid Films. 2014. Vol. 550. P. 486–494.


Рецензия

Для цитирования:


Цаладонов А.Д., Ревенько Д.В., Биран С.А., Короткевич А.В., Новиков П.Э., Корсак К.В. Вертикальные токопроводящие переходы в диэлектрических подложках на основе анодного оксида алюминия. Доклады БГУИР. 2025;23(5):5-11. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-5-5-11

For citation:


Tsaladonov A.D., Revenko D.V., Biran S.A., Korotkevich A.V., Novikov P.E., Korsak K.V. Vertical Conductive Transitions in Dielectric Substrates Based on Anodic Aluminum Oxide. Doklady BGUIR. 2025;23(5):5-11. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-5-5-11

Просмотров: 48


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)