Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-5-13
Аннотация
Скоростным осаждением графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4) из меламина на подложки из кремния (Si) и алюминия (Al), часть поверхности которых была покрыта оксидом – соответственно SiO2 или Al2O3, с поверхностными пленочными контактами из Al изготовлены структуры Al/g-C3N4/Si/Al, Al/g-C3N4/SiO2/Si/Al, Al/g-C3N4/Al и Al/g-C3N4/Al2O3/Al. На них при комнатной температуре измерены вольт-фарадные характеристики и зависимость емкости от частоты измерительного сигнала. Установлено, что диэлектрическая проницаемость g-C3N4 составляет 14 в структурах на кремнии и 9–10 в структурах на алюминии. Уменьшение диэлектрической проницаемости объясняется образованием Al2O3 на границе g-C3N4/Al в процессе осаждения g-C3N4, на что указывают результаты проведенного рентгенодифракционного анализа сформированных образцов.
При поддержке: Исследования выполнены в рамках задания 1.4 Государственной программы научных исследований Республики Беларусь «Материаловедение, новые материалы и технологии». Авторы благодарят Д. И. Тишкевич за рентгенодифракционный анализ экспериментальных образцов.
Для цитирования:
Фам В.Т., Максимов С.Е., Уткина Е.А., Чубенко Е.Б., Борисенко В.Е. Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода. Доклады БГУИР. 2024;22(6):5-13. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-5-13
For citation:
Pham V.T., Maximov S.E., Utkina E.A., Chubenko E.B., Borisenko V.E. Capacitance of Film Structures Including Graphitic Carbon Nitride. Doklady BGUIR. 2024;22(6):5-13. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-5-13
Просмотров: 226
Послать статью по эл. почте 