SIGNIFICANCE RESEARCH OF DARVISH MOBILITY MODEL PARAMETERS FOR THE CHARGE TRANSPORT DESCRIPTION IN NANOSCALE MOSFETS
Abstract
Using the methodology of screening experiments the most significant parameters of the Darwish mobility model are identified. The possibility of optimizing the drift-diffusion model in order to achieve the adequacy of the simulation results of nanoscale MOS structures.
About the Author
A. M. Borovik
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
References
1. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.
2. Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.
3. Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.
4. ATLAS User’s Manual. Device simulation software. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 01.09.2014.
5. Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // Journal of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.
6. Darwish M., Lentz J.L., Pinto M.R. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. Vol. 44 (9). P. 1529-1538.
7. Луизова Л.А. От постановки задачи до принятия решения. Петрозаводск, 2002.
8. Engineering Statistics Handbook. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.itl.nist.gov/div898/handbook/index.htm. - Дата доступа: 01.09.2014.
9. Plackett R. L., Burman J. P. // Biometrika. 1946. Vol. 33. P. 305-325.
10. StatSoft. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.statsoft.ru/home/textbook/default.htm. - Дата доступа: 01.09.2014.
Review
For citations:
Borovik A.M. SIGNIFICANCE RESEARCH OF DARVISH MOBILITY MODEL PARAMETERS FOR THE CHARGE TRANSPORT DESCRIPTION IN NANOSCALE MOSFETS. Doklady BGUIR. 2015;(1):12-17. (In Russ.)
Views: 422
Email this article 