Для цитирования:

Лопато У.П., Лапутько Д.Д., Гревцов Н.Л., Бондаренко В.П. Особенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимости. Доклады БГУИР. 2024;22(5):17-25. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-17-25

For citation:

Lopato U.P., Laputko D.D., Grevtsov N.L., Bondarenko V.P. Structural Features of Porous Silicon Formed on Heavily Doped Plates of Single-Crystal Silicon with Electron Conductivity. Doklady BGUIR. 2024;22(5):17-25. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-17-25