Фототок структур кремний/титанат бария/никель
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-12-16
Аннотация
С использованием золь-гель-метода синтезированы фоточувствительные структуры кремний/титанат бария/никель с нелегированным титанатом бария и легированным европием. Изучены вольт-амперные характеристики в условиях освещения ксеноновой лампой с выделением монохроматической линии в диапазоне 400–800 нм и в темновом режиме. Синтезированные структуры показали наличие фототока на обратной ветви вольт-амперных характеристик во всем исследованном диапазоне длин волн освещения. Максимальный ток обратной ветви для структуры с нелегированным титанатом бария был достигнут при воздействии излучения с длиной волны 470 нм и составил около 0,6 мкА для диапазона напряжения смещения от 2 до 10 В. Легирование титаната бария европием приводит к увеличению фототока на 17–26 %.
Об авторах
Ю. Д. Корнилова
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Корнилова Ю. Д., асп., мл. науч. сотр. науч.-исслед. лаб. «Нанофотоника» (НИЛ 4.5)
г. Минск
Е. Б. Чубенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Чубенко Е. Б., канд. техн. наук, вед. науч. сотр. науч.-исслед. лаб. «Материалы и структуры наноэлектроники»
г. Минск
Н. В. Гапоненко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Гапоненко Николай Васильевич, д-р физ.-мат. наук, проф., зав. НИЛ 4.5
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Тел.: +375 17 293-88-75
Список литературы
1. Ржанов, А. В. Титанат бария – новый сегнетоэлектрик / А. В. Ржанов // Успехи физических наук. 1949. Т. 38, вып. 4. С. 461–489.
2. Hoffmann, S. Dielectric Properties, Leakage Behaviour, and Resistance Degradation of Thin Films of the Solid Solution Series Ba(Ti1-yZry)O3 / S. Hoffmann, R. M. Waser // Integrated Ferroelectrics. 1997. Vol. 17, No 1. P. 141–152. https://doi.org/10.1080/10584589708012989.
3. High Dielectric Constant of SrTiO3 Thin Films Prepared by Chemical Process / F. M. Pontes [et al.] // Journal of Materials Science. 2000. Vol. 35. P. 4783–4787. https://doi.org/10.1023/A:1004816611050.
4. Resistance Switching and Retention Behaviors in Polycrystalline La-doped SrTiO3 Ceramics Chip Devices / S. Hirose [et al.] // Journal of Applied Physics. 2008. Vol. 104, No 5. https://doi.org/10.1063/1.2975316.
5. Resistance Switching Behavior of Atomic Layer Deposited SrTiO3 Film Through Possible Formation of Sr2Ti6O13 or Sr1Ti11O20 Phases / W. Lee [et al.] // Scientific Reports. 2016. Vol. 6. https://doi.org/10.1038/srep20550.
6. Tarun, M. C. Persistent Photoconductivity in Strontium Titanate / M. C. Tarun, F. A. Selim, M. D. McCluskey // Physical Review Letters. 2013. Vol. 111. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.187403.
7. Ferroelectric BaTiO3 Thin-Film Optical Waveguide Modulators / A. Petraru [et al.] // Applied Physics Letters. 2002. Vol. 81. P. 1375–1377. https://doi.org/10.1063/1.149815.
8. Electrooptic Modulation up to 40 GHz in a Barium Titanate Thin Film Waveguide Modulator / P. Tang [et al.] // Optics Express. 2004. Vol. 12. P. 5962–5967. https://doi.org/10.1364/OPEX.12.005962.
9. Upconversion Luminescence from Sol-Gel-Derived Erbium- and Ytterbium-Doped BaTiO3 Film Structures and the Target Form / N. V. Gaponenko [et al.] // Photonics. 2023. Vol. 10, No 4. https://doi.org/10.3390/photonics10040359.
10. Фототок в структурах кремний/титанат стронция/никель / П. А. Холов [и др.] // Доклады БГУИР. 2018. № 1. С. 19–24.
11. Anaraki, H. S. Photocurrent in Strontium Titanate Films on Silicon Substrates / H. S. Anaraki, N. V. Gaponenko, V. A. Ivanov // Journal of Applied Spectroscopy 2015. Vol. 82. P. 857–860. https://doi.org/10.1007/s10812-015-0194-9.
12. Оптические свойства многослойных пленочных структур BaTiO3/SiO2, сформированных золь-гель-методом / Н. В. Гапоненко [и др.] // Физика твердого тела. 2019. Т. 63, № 3. С. 528–532. DOI: 10.21883/FTT.2019.03.47246.197.
Рецензия
Для цитирования:
Корнилова Ю.Д., Чубенко Е.Б., Гапоненко Н.В. Фототок структур кремний/титанат бария/никель. Доклады БГУИР. 2024;22(5):12-16. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-12-16
For citation:
Karnilava Yu.D., Chubenko E.B., Gaponenko N.V. Photocurrent in Silic in Silicon/Barium Titanate/Nikel Structures. Doklady BGUIR. 2024;22(5):12-16. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-12-16
Просмотров:
297
Послать статью по эл. почте 