Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Мемристорный эффект в слоистых пленочных структурах

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-5-13

Аннотация

Предложены  эквивалентные  электрические  схемы  многослойных  пленочных  структур с мемристорным переключением сопротивления на межслойных границах и на границах кристаллических зерен в каждом слое. Численное моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что их типичный для мемристоров петлеобразный вид трансформируется в линейную омическую зависимость общего тока от величины приложенного внешнего напряжения по мере увеличения как количества слоев, так и количества зерен в каждом слое. Установлено определенное сочетание количества слоев и   зерен в слое, при котором максимальный протекающий через структуру общий ток и отношение сопротивлений в «выключенном» и «включенном» состояниях достигают наибольших значений.

Для цитирования:


Фам В., Подрябинкин Д.А., Чубенко Е.Б., Борисенко В.Е. Мемристорный эффект в слоистых пленочных структурах. Доклады БГУИР. 2024;22(3):5-13. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-5-13

For citation:


Pham V., Podryabinkin D.A., Chubenko E.B., Borisenko V.E. Memristor Effect in Layered Film Structures. Doklady BGUIR. 2024;22(3):5-13. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-5-13

Просмотров: 560


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)