Мемристорный эффект в слоистых пленочных структурах
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-5-13
Аннотация
Предложены эквивалентные электрические схемы многослойных пленочных структур с мемристорным переключением сопротивления на межслойных границах и на границах кристаллических зерен в каждом слое. Численное моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что их типичный для мемристоров петлеобразный вид трансформируется в линейную омическую зависимость общего тока от величины приложенного внешнего напряжения по мере увеличения как количества слоев, так и количества зерен в каждом слое. Установлено определенное сочетание количества слоев и зерен в слое, при котором максимальный протекающий через структуру общий ток и отношение сопротивлений в «выключенном» и «включенном» состояниях достигают наибольших значений.
Ключевые слова
Для цитирования:
Фам В., Подрябинкин Д.А., Чубенко Е.Б., Борисенко В.Е. Мемристорный эффект в слоистых пленочных структурах. Доклады БГУИР. 2024;22(3):5-13. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-5-13
For citation:
Pham V., Podryabinkin D.A., Chubenko E.B., Borisenko V.E. Memristor Effect in Layered Film Structures. Doklady BGUIR. 2024;22(3):5-13. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-3-5-13