Ионно-плазменные системы в технологии тонких пленок
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-2-20-31
Аннотация
В статье изложены современные тенденции развития ионно-плазменных систем для ионной обработки и нанесения тонких пленок. Рассмотрены применение импульсного реактивного магнетронного распыления для формирования пленок оксида ванадия и зависимость параметров процесса от частотных характеристик электропитания, особенности и применение процесса прямого осаждения из ионного пучка для формирования ориентирующих покрытий из SiO2, СН, СN, CНF для жидкокристаллических дисплеев, износостойких покрытий из алмазоподобного углерода (α-С) и нитрида углерода (СNх). Показаны преимущества непрерывного режима электропитания сверхвысокочастотного магнетрона по сравнению с импульсным. Приведена математическая модель расчета магнетронных распылительных систем и процессов магнетронного распыления, представлены основные возможности разработанного программного комплекса Deposition.
Об авторах
А. П. Достанко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
акад. Национальной академии наук Беларуси, д-р техн. наук, проф., гл. науч. сотр. Центра «Ионно-плазменные системы и технологии» (Центр 2.1) НИЧ
С. И. Мадвейко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
канд. техн. наук, доц., зав. каф. электронной техники и технологии
Е. В. Телеш
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
ст. препод. каф. электронной техники и технологии
С. Н. Мельников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
канд. техн. наук, вед. науч. сотр. Центра 2.1 НИЧ
С. М. Завадский
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Завадский Сергей Михайлович, канд. техн. наук, доц., нач. Центра 2.1 НИЧ
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Тел.: +375 17 293-80-79
Д. А. Голосов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
канд. техн. наук, доц., вед. науч. сотр. Центра 2.1 НИЧ
Список литературы
1. Kelly, P. J. Magnetron Sputtering: A Review of Recent Developments and Applications / P. J. Kelly, R. D. Arnell // Vacuum. 2000. Vol. 56. P. 159–172.
2. Sproul, W. D. High-Rate Reactive DC Magnetron Sputtering of Oxide and Nitride Supperlattice Coatings / W. D. Sproul // Vacuum. 1998. Vol. 51, No 4. P. 641–646.
3. Технологические процессы и системы в микроэлектронике / А. П. Достанко [и др.]. Минск: Бестпринт, 2009.
4. Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро- и наноэлектроники / А. П. Достанко. Минск: Беспринт, 2011.
5. Chapman, В. Glow Dischange Processes / В. Chapman. NY: Wiley, 1980.
6. Tachi, Sh. Impact of Plasma Processing on Integrated Circuit Technology Migration: From 1 mm to 100 nm and Beyond / Sh. Tachi // Journal of Vacuum Science Technology. 2003. Vol. 21, No 5. P. S131–S138.
7. Dielectric Properties of the Ion Beam Deposited SiOx Doped DLC Films / Š. Meškinis [et al.] // Material Sci. 2009. Vol. 15, No 1. Р. 3–6.
8. Телеш, Е. В. Применение вторичного разряда в ускорителе с анодным слоем для формирования оптических покрытий из диоксида кремния / Е. В. Телеш, А. П. Достанко // Контенант. 2014. Т. 13, № 2. С. 31–33.
9. Телеш, Е. В. Формирование оптических покрытий прямым осаждением из ионных пучков / Е. В. Телеш, Н. К. Касинский // Контенант. 2014. Т. 1, № 2. С. 27–30.
10. Телеш, Е. В. Оптические характеристики тонких пленок диоксида кремния, полученных прямым осаждением из ионных пучков / Е. В. Телеш, А. П. Достанко, А. Ю. Вашуров // Доклады БГУИР. 2015. № 8. С. 81–85.
11. Tsikhan, O. I. Study of Pulsed and Continuous Modes of Microwave Discharge Plasma Generation on a Resonator-Type Plasmatron / O. I. Tsikhan, S. I. Madveika, S. V. Bordusau // High Temperature Material Processes. 2021. Vol. 25, No 2. P. 65–75.
12. Регулируемый трехфазный источник питания, работающего на плазменную нагрузку СВЧ магнетрона: полез. модель BY 13119 / О. И. Тихон, С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов. Опубл. 28.02.2023.
13. Тихон, О. И. Исследование влияния электрических параметров импульсного источника питания СВЧ магнетрона на режимы генерации плазмы СВЧ разряда / О. И. Тихон, С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов // Проблемы физики, математики и техники. 2022. Т. 52, № 3. С. 42–47.
14. Данилин, Б. С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев. М.: Энергоатомиздат, 1987.
15. Плазменная технология в производстве СБИС, пер. с англ. / Под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М.: Мир, 1987.
16. Fonash, S. J. Plasma Processing Damage in Etching and Deposition / S. J. Fonash // IBM J. Res. Develop. 1999. Vol. 43, No 12. P. 103–106.
17. Голосов, Д. А. Сквозное моделирование процессов нанесения покрытий при магнетронном распылении / Д. А. Голосов, С. М. Завадский, С. Н. Мельников // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки. Физика. 2013. № 4. С. 75–82.
Рецензия
Для цитирования:
Достанко А.П., Мадвейко С.И., Телеш Е.В., Мельников С.Н., Завадский С.М., Голосов Д.А. Ионно-плазменные системы в технологии тонких пленок. Доклады БГУИР. 2024;22(2):20-31. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-2-20-31
For citation:
Dostanko A.P., Madveyko S.I., Telesh E.V., Melnikov S.N., Zavadski S.M., Golosov D.A. Plasma Systems in Thin Film Technology. Doklady BGUIR. 2024;22(2):20-31. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-2-20-31
Просмотров:
426
Послать статью по эл. почте 