Preview

Doklady BGUIR

Advanced search

Drift-Diffusion Model parameterS Optimization

Abstract

A new approach of nanoscale MOSFETs electrical characteristics calculating, the essence of which is the use of correction factors, as well as such values of classic drift-diffusion models, which would effectively take into account the quantum-mechanical transport mechanisms is proposed. Modified direct search method of drift-diffusion model optimization for MOSFET with a 90 nm channel length is developed and used.

About the Authors

T. T. Trung
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus


A. M. Borovik
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus


V. R. Stempitsky
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus


References

1. Vasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.

2. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.

3. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.

4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.

5. ATLAS User’s Manual. Device simulation software. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 21.07.2014.

6. Darwish M., Lentz J.L., Pinto M.R. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. Vol. 44 (9). P. 1529-1538.

7. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Данилюк А.Л. и др. Наноэлектроника: Теория и практика. М., 2013.

8. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. Новосибирск, 2000.

9. Аоки М. Введение в методы оптимизации. М., 1977.

10. Реклейтис Г., Рейвиндран А., Регсдел К. Оптимизация в технике. Книга 1. М., 1986.

11. Stempitsky V., Trung Tran Tuan, Borovik A. // Proc. of Int. Workshop on New Approaches to High-Tech: Nano-Design, Technology, Computer Simulations (NDTCS’2013). Minsk, 11-15 June 2013. P. 85-87.

12. «Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 21.07.2014.


Review

For citations:


Trung T.T., Borovik A.M., Stempitsky V.R. Drift-Diffusion Model parameterS Optimization. Doklady BGUIR. 2014;(8):11-17. (In Russ.)

Views: 4462


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)