27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION
Abstract
About the Authors
T. T. TrungBelarus
A. M. Borovik
Belarus
I. Yu. Lovshenko
Belarus
V. R. Stempitsky
Belarus
A. A. Kuleshov
Belarus
References
1. Vasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.
2. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.
3. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.
4. Cheng Y., Hu C. MOSFET modeling & BSIM3 user’s guide. Kluwer Academic Publishers, 1999.
5. Foty D. P. MOSFET modeling with Spice. Principle and Practice. Prentice Hall PTR. NJ, 1997.
6. Yu В., Xiong W., Hsu C.H. et al. // 2007 IEEE International SOI Conference. 2007. P. 131-132.
7. Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.
8. ATLAS User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 18.07.2014.
9. Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.
10. Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // J. of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.
11. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.
12. «Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. - [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 18.07.2014.
Review
For citations:
Trung T.T., Borovik A.M., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R., Kuleshov A.A. 27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION. Doklady BGUIR. 2014;(7):21-27. (In Russ.)