Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Полный текст:

Аннотация

Рассмотрено влияние гамма-излучения Co60 на характеристики элементов аналоговых интегральных схем (ИС): входную вольтамперную характеристику (ВАХ) в схеме с общей базой (ОБ), выходную ВАХ в схеме общим эмиттером (ОЭ), зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ (β) от коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом и каналом p -типа ( p -ПТП) в схеме с общим истоком (ОИ). Установлено, что уменьшение напряжения отсечки p -ПТП не превышает 3 %, а максимального тока стока - менее 5 % при поглощенной дозе D = 5,345 Мрад. Максимум зависимости β = f ( IC ) n-p-n- и p-n-p -транзисторов уменьшается и сдвигается в область больших коллекторных токов при D < 0,845 Мрад. При поглощенной дозе, превышающей 0,845 Мрад, максимум β n-p-n -транзисторов слабо снижается, а для p-n - p -транзисторов - немного увеличивается (частично восстанавливается).

Об авторах

О. В. Дворников
ОАО «МНИПИ»
Беларусь


В. А. Чеховский
Национальный научно-учебный центр физики частиц и высоких энергий Белгосуниверситета
Беларусь


В. Л. Дятлов
ОАО «МНИПИ»
Беларусь


Ю. В. Богатырев
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь


С. Б. Ластовский
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь


Список литературы

1. Прибыльский А.В. Конструктивно-схемотехнические методы проектирования, тестирования и контроля интегральных схем. Минск, 2003.

2. Дворников О., Гришков В., Громыко О. // Современная электроника. 2010. №5. С. 54-61.

3. Дворников О.В., Крутчинский С.Г., Прокопенко Н.Н. и др. // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем. 2006. С. 200-205.

4. Дворников О.В. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2010. С. 283-288.

5. Старченко Е.И. Стабилизаторы напряжения с компенсационно-параметрическими каналами. Шахты, 2009.

6. Дворников О.В., Гришков В.Н. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2010. С. 301-306.

7. Дворников О., Шульгевич Ю. // Современная электроника. 2009. №6. С. 52-61.

8. Дворников О., Шульгевич Ю. // Современная электроника. 2009. №8. С. 50-57.

9. Абрамов И.И, Дворников О.В. Проектирование аналоговых микросхем для прецизионных измерительных систем. Минск, 2006.

10. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов. М., 1998.

11. Першенков В.С. // Научная сессия МИФИ. 2007. Т. 1. С. 74-75.


Для цитирования:


Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б. ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ. Доклады БГУИР. 2012;(3):56-62.

Просмотров: 40


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)