ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ

Резка сапфира в настоящее время является одной из крупнейшей развивающейся области лазерной обработки материалов. Сапфир является одним из самых твердых прозрачных материалов. Его механические и оптические свойства сделали его идеальной и ценной основой для создания различных устройств, например, таких как защитные стекла для часов, дисплеи мобильных устройств, защитные стекла для камер и подложки для светодиодов и транзисторов. Среди существующих способов резки с помощью лазерных или алмазных инструментов, фемтосекундное лазерное скрайбирование является многообещающей технологией, поскольку эта технология обладает уникальной способностью производить высоколокализованную объемную модификацию благодаря нелинейному поглощению. Резка сапфира твердотельными лазерами хорошо известна уже в течение многих лет и стала современным промышленным процессом. Однако скорость и качество процесса резки до сих пор ограничены, а эксплуатационные расходы относительно высоки. Целью работы, результаты которой представлены в рамках данной статьи, является улучшение скорости и качества резки. В статье описаны результаты исследования фемтосекундного лазерного скрайбирования сапфира при длинах волн 1040 и 520 нм с последующим жидкостным травлением в смеси азотной и плавиковой кислот для выявления формирующихся дефектов и трещин. Морфология поверхности сапфира, подвергнутого лазерной абляции, оценена методом сканирующей электронной микроскопии. Показано, что на основной частоте материал эффективно удаляется с поверхности, однако при этом формируются расходящиеся по поверхности трещины на расстояние до 40 мкм. Использование второй гармоники дало более аккуратные и глубокие резы по сравнению с основной частотой при той же энергии импульса, что обусловлено меньшей размерностью многофотонных процессов. При этом формируются анизотропные трещины, расходящиеся в объем материала. Таким образом, показаны возможности применения фемтосекундной лазерной абляции в технологических процессах скрайбирования для изготовления устройств на основе сапфира.

1. Miotello A., Ossi P. Laser-Surface Interactions for New Materials Production. Springer; 2010.

2. Tan D., Sharafudeen K.N., Yue Y., Qiu J., Femtosecond laser induced phenomena in transparent solid materials: Fundamentals and applications. Progress in Materials Science.2016. Vol. 76:154–228.

3. Puerto D., Siegel J., Gawelda W., Galvan-Sosa M., Ehrentraut L., Bonse J., Solis J. Dynamics of plasma formation, relaxation, and topography modification induced by femtosecond laser pulses in crystalline and amorphous dielectrics. J. Opt. Soc. Am. B. 2010; Vol. 27 (5): 1065-1076.

4. Eberle G., Schmidt M., Pude F., Wegener K. Laser surface and subsurface modification of sapphire using femtosecond pulses. Applied Surface Science. 2016; Vol. 378: 504-512.

5. Qi L., Nishii K., Yasui M., Aoki H., Namba Y., Femtosecond laser ablation of sapphire on different crystallographic facet planes by single and multiple laser pulses irradiation. Optics and Lasers in Engineering. 2010. Vol. 48: 1000–1007.

6. Watanabe W., Li Y., Itoh K., Ultrafast laser micro-processing of transparent material Optics & Laser Technology. 2016; Vol. 78 (А): 52-61.