Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко | ||
| "... energy efficient. As for (111)-oriented crystals, silicon atoms only have one broken surface bond ..." | ||
| № 8 (2016) | MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| "... The model of formation and dissolution of neutral boron clusters in silicon has been developed ..." | ||
| № 6 (2015) | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Левченко, Л. И. Постнова, Е. Л. Труханова, В. П. Бондаренко | ||
| "... ZnSe epitaxial films are grown on (111)- and (100)-oriented Si substrates with a porous buffer ..." | ||
| № 4 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА КОМБИНИРОВАННЫМ МЕТОДОМ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО И ПОСЛОЙНОГО АТОМНОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, В. А. Пилипенко, К. .. Топалли, А. К. Окяй | ||
| "... silicon substrates with zinc oxide seed layer formed by atomic layer deposition are studied. Obtained ..." | ||
| № 1 (2017) | СТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина | ||
| "... Questions of the implantation fluency of Si(111) by phosphorus ions influence, the effect of post ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК НИКЕЛЯ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко | ||
| "... and Schottky barrier height of nickel films on n-type silicon (111) at their rapid thermal treatment ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронно-микроскопические исследования системы Pt-Si при ее быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. A. Горушко | ||
| "... that in this case this process is subject to acceleration related to the rupture of the silicon-silicon bonds ..." | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Структура и морфология слоев CrSi2, сформированных при быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, Пётр Иванович Гайдук | ||
| "... The formation of chromium disilicide layers on n-type single crystal silicon substrates (111 ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ВЛИЯНИЕ ВРЕМЕННЫХ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ НА МИКРОСТРУКТУРУ СИСТЕМЫ Pt-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. А. Горушко | ||
| "... -crystal silicon KEF 0.5 with orientation (111) by means of the magnetron platinum target sputtering ..." | ||
| № 1 (2016) | СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Сыман, А. П. Яблонский, И. А. Кашко, К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... The study results of formation regularities, morphology and composition of porous silicon particles ..." | ||
| № 6 (2019) | ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Гурбо, А. В. Клименко, В. П. Бондаренко | ||
| "... Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | MANAGING THE SURFACE PROPERTIES OF MATERIALS OF DISPLAY TECHNOLOGY BY MEANS OF TREATMENT IN ATMOSPHERIC DISCHARGE PLASMA | Аннотация похожие документы |
| Y. V. Zaporozhchenko, D. A. Kotov, А. V. Aksyuchits, A. N. Osipov, S. V. Paceev | ||
| "... The results of research the surface of single-crystal silicon, glass, and stainless steel after ..." | ||
| № 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| , | ||
| № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА <111>-ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Яцыно, Д. Б. Мигас, Я. С. Арситов, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын | ||
| "... The results of calculations by means of the first principles methods of the <111> -oriented GaP ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon substrates from aqueous solutions of zinc and nickel nitrates. The deposition was conducted from ..." | ||
| № 7 (2016) | КОНЦЕПТУАЛЬНЫЙ ПОДХОД В ОЦЕНКЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ОРИЕНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Лукашевич | ||
| "... Сформирована научно обоснованная концепция объективной оценки процесса пространственной ориентации ..." | ||
| № 4 (2016) | МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... is reduced upon substitution of S atoms by Te ones from 1,84 to 1,17 eV in the case of MoTe2. Both MoTe2 ..." | ||
| № 1 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА КОМПОЗИТОВ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА БАРИЯ, СОДЕРЖАЩИХ АТОМЫ МЕТАЛЛОВ, И ИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Я. .. Мацуткевич, М. Н. Сарасеко, О. Г. Поддубская, А. В. Петров, Н. А. Каланда, А. А. Климза, О. В. Игнатенко, П. Н. Киреев | ||
| № 8 (2018) | НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПЛАЗМА МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ш. Невлюдов, В. Н. Гурин, Д. В. Гурин, К. Л. Хрусталев | ||
| "... for the formation of a chemical bond between sputtered atoms and active gas molecules. A study of the composition ..." | ||
| № 4 (2017) | ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Ю. Рощин, А. В. Бондаренко | ||
| "... of nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate ..." | ||
| № 2 (2018) | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Асаёнок, О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич | ||
| "... of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what ..." | ||
| № 5 (2018) | ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ОЦЕНИВАНИЯ ОРИЕНТАЦИИ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА В ИНТЕРЕСАХ АДАПТАЦИИ РАДИОЛОКАЦИОННЫХ ПОРТРЕТОВ К УСЛОВИЯМ НАБЛЮДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Ярмолик, М. В. Свинарский, А. С. Храменков, Е. В. Зайко | ||
| "... Статья посвящена повышению точности оценивания углов ориентации летательного аппарата применительно ..." | ||
| № 5 (2013) | ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ФИЛЬТРОВ КАЛМАНА-БЬЮСИ В КОМПЛЕКСАХ ОРИЕНТАЦИИ И НАВИГАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Бенкафо, А. А. Лобатый | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
| "... Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun ..." | ||
| № 8 (2017) | ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Завацкий, А. В. Бондаренко | ||
| "... silicon are presented. Porosity of the porous silicon samples was calculated by two gravimetric methods ..." | ||
| № 2 (2018) | РАЗЛОЖЕНИЕ МОНОГИДРИДОВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАТИНО-РЕНИЕВОЙ ШПИНЕЛИ В КАЧЕСТВЕ КАТАЛИЗАТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, Д. Ф. Кузнецов, Я. С. Воронец | ||
| № 1 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НИКЕЛЯ В МЕЗОПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Долгий, С. Л. Прищепа, В. А. Петрович, В. П. Бондаренко | ||
| "... Layers of mesoporous Silicon were formed on the surface of monocrystalline silicon wafers ..." | ||
| № 1 (2018) | ФОТОТОК В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ/ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ/НИКЕЛЬ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Холов, Н. В. Гапоненко, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, В. А. Иванов, В. В. Колос, Б. С. Колосницын | ||
| "... silicon using the sol-gel method at the annealing temperature 750 °С. The upper nickel electrodes were ..." | ||
| № 5 (2018) | КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... The use of porous silicon in the field of superconducting nanoelectronics is considered ..." | ||
| № 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... of 4H-SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average ..." | ||
| № 2 (2013) | ГИДРОТЕРМАЛЬНОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко | ||
| "... silicon wafers with a hydrogen passivated surface are presented. Hydrothermal deposition of undoped ZnO ..." | ||
| № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of porous silicon formation by anodization of single crystalline silicon wafers ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для оптических межсоединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ле Динь Ви, А. А. Лешок, А. В. Долбик, С. Л. Перко, С. К. Лазарук | ||
| "... The paper analyzes the parameters of silicon avalanche LEDs and their use for electron-optical ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| № 6 (2018) | УЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ УГЛОВ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ОРИЕНТАЦИИ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА ПРИ АДАПТАЦИИ РАДИОЛОКАЦИОННЫХ ПОРТРЕТОВ К ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ УСЛОВИЯМ НАБЛЮДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Ярмолик, М. В. Свинарский, А. С. Храменков, Е. В. Зайко | ||
| "... Рассмотрен способ оценки и учета статистических распределений углов пространственной ориентации ..." | ||
| № 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained. ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Хорошко, А. В. Баглов, А. А. Гнитько | ||
| "... from ultrathin alternating layers of titanium and silicon oxides with different order of alternating ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В КАЧЕСТВЕ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ СВЕТОДИОДОВ, НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ви Ле Динь, А. Ю. Клюцкий, А. А. Долбик, А. А. Лешок, С. К. Лазарук | ||
| "... silicon on the parameters of the formed devices, such as the light emission voltage and the stability ..." | ||
| № 1 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Шерстнёв, Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, В. А. Петрович, В. А. Пилипенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of electrochemical deposition of zinc oxide into ordered porous silicon matrix, formed ..." | ||
| № 4 (2019) | РОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... The design specific features of the rapid thermal treatment automated unit for silicon wafers ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Я. Д. Галкин, А. В. Кунц, В. Р. Стемпицкий, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... on the master slice array MN2XA030 for silicon photomultiplier tubes. The amplifier is called ADPreampl3 ..." | ||
| № 4 (2019) | ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ СИСТЕМ РАДИОЛОКАЦИОННОГО РАСПОЗНАВАНИЯ ЗА СЧЕТ АДАПТАЦИИ К ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ОРИЕНТАЦИИ ОБЪЕКТА НАБЛЮДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Ярмолик, М. В. Свинарский, А. С. Храменков, Е. В. Зайко | ||
| "... портретов к углам пространственной ориентации наблюдаемого объекта. Для оценки эффективности системы ..." | ||
| № 8 (2012) | МЕТОДИКА РАСЧЕТА УГЛОВ ОРИЕНТАЦИИ АНТЕНН ПЕРЕДАТЧИКА И ПРИЕМНИКА ПОМЕХИ ПРИ АНАЛИЗЕ ЭМС РЭС | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Королькова, В. М. Козел, К. Л. Горбачев | ||
| "... Изложена методика расчета углов ориентации антенны передатчика и приемника помехи, а также расчета ..." | ||
| № 2 (2013) | МЕТОДИКА РАСЧЕТА УГЛОВ ОРИЕНТАЦИИ АНТЕНН ПЕРЕДАТЧИКА И ПРИЕМНИКА ПОМЕХИ ПРИ АНАЛИЗЕ ЭМС РЭС | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Королькова, В. М. Козел, К. Л. Горбачев | ||
| "... Изложена методика расчета углов ориентации антенны передатчика и приемника помехи, а также расчета ..." | ||
| № 2 (2013) | РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Углов, Н. Т. Квасов, В. М. Асташинский, Ю. А. Петухов, А. М. Кузьмицкий, И. Л. Дорошевич, С. В. Ластовский | ||
| "... Photovoltaic effect in silicon doped by the action of compression plasma pulses is investigated ..." | ||
| № 6 (2015) | УВЕЛИЧЕНИЕ МЕХАНИЧЕСКОГО ИМПУЛЬСА В МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭНЕРГИЮ ГОРЕНИЯ НАНОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Долбик, А. Ю. Зубов, С. Н. Крисевич, А. С. Сычевич, А. В. Короткевич, С. К. Лазарук, В. А. Лабунов | ||
| "... Nanostructured porous silicon impregnated by solid state oxidants has been studied in order ..." | ||
| № 1 (2015) | КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ФРАГМЕНТА КЛЕТОЧНОЙ СТЕНКИ БАКТЕРИИ С ПОВЕРХНОСТЬЮ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Бурко, Я. В. Долгая, В. Р. Стемпицкий, Т. В. Романовская | ||
| "... of bacterial cell wall and silicon surface via quantum-mechanical methods. The main attention given ..." | ||
| № 2 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОНИТЕЙ МЕТОДОМ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Бондаренко, К. В. Гирель, С. А. Невзоров, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко | ||
| "... The results of study and development of silicon nanowires (SiNWs) formation by metal-assisted ..." | ||
| № 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
| "... of refractory metals and semiconductor silicides, one-dimensional structures of silicon, А3В5 semiconductors ..." | ||
| № 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
| "... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХРОМА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьев, В. А. Пилипенко | ||
| "... of rapid thermal treatment of chromium films on n-type conductivity silicon on their resistivity ..." | ||
| № 8 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР СЕРЕБРА МЕТОДОМ ИММЕРСИОННОГО ОСАЖДЕНИЯ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... Nanostructures formed by immersion deposition of silver on porous silicon at different regimes ..." | ||
| № 8 (2015) | ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ПРЯМЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ИОННЫХ ПУЧКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш, А. П. Достанко, А. Ю. Вашуров | ||
| "... on optical performances of thin-film coatings from the silicon dioxide, received by direct deposition from ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование нагрева кремниевых пластин при быстрой термической обработке на установке «УБТО 1801» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... of the silicon wafer on the lamps power and the heating time during rapid thermal processing using “UBTO 1801 ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Исследование влияния условий подачи озоно-воздушной смеси на процесс удаления фоторезиста с поверхности кремниевой пластины | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Тихон, С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, А. Л. Барахоев, П. В. Камлач | ||
| "... films on the silicon wafers surface in an ozone environment on the conditions and parameters ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Формирование электрохимическим методом композитных материалов на основе оксида цинка и меди | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. М. Ткачёнок, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... atoms in the crystal lattice. At a current density of 5 mA / cm2, short-wavelength shifts ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Механизмы деградации структуры сегнетоэлектрика Pb1−хBaхZr0,53Ti0,47O3−δ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, А. В. Петров, Д. А. Голосов, П. Н. Киреев, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич | ||
| "... the relaxation of the chemical bonds between atoms, caused by the deficiency introduced into the anionic ..." | ||
| № 8 (2012) | КОНТРОЛЬ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ SI-SIO2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зеленин | ||
| "... in structures such as silicon dioxide-monocrystal silicon substrate. The results concerning the determination ..." | ||
| № 4 (2014) | ПАССИВНО-МАТРИЧНЫЕ МИКРОДИСПЛЕИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Мохаммед, Е. В. Муха, А. А. Степанов, А. Г. Смирнов | ||
| "... on reverse biesed Schottki diodes with the structure of nanoporous Silicon-Aluminium are described. ..." | ||
| № 8 (2015) | ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ МАТЕРИАЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Т. Квасов, В. В. Углов, И. Л. Дорошевич | ||
| "... physical and mathematical formalism Ed is constructed, is an unstable pair of «vacancy - interstitial atom ..." | ||
| № 6 (2015) | ОЦЕНКА КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА ЛАВИННЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ В РЕЖИМЕ СЧЕТА ФОТОНОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. К. Барановский, А. О. Зеневич, А. М. Тимофеев, О. Ю. Горбадей | ||
| "... . The silicon avalanche photodetectors noise factor depending on the supply voltage, ambient temperature ..." | ||
| № 6 (2016) | ЯВЛЕНИЕ СЕГРЕГАЦИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В ОБЛАСТИ ЗАЛЕГАНИЯ p-n-ПЕРЕХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Величко | ||
| "... of «impurity atom-intrinsic point defect» pairs, the investigation of phenomenon of impurity segregation ..." | ||
| № 1 (2019) | ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (MnIn2S4)1-x•(AgIn5S8)x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Чан Бинь Тхан, И. В. Боднарь | ||
| "... expansion, the Debye temperatures and the mean-square dynamic displacements of the atoms are calculated ..." | ||
| № 8 (2018) | РЕЖИМЫ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ СИСТЕМЫ Рt-Si ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... in it, resultant in the plastic melting or silicon disruption. It was shown, that formation of platinum silicide ..." | ||
| № 7 (2017) | ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ TiO2 И SrTiO3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Руденко, Л. С. Хорошко, Н. В. Гапоненко, А. В. Мудрый, Т. Ф. Райчёнок | ||
| "... on the quartz glass, monocrystalline silicon and porous anodic alumina/silicon structures. Morphology ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ: ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕНТРА НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ БГУИР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко | ||
| "... silicon, quantum films and wires of silicon and germanium, nanodiamonds, nanostructured oxides of metals ..." | ||
| № 7 (2016) | ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КОМПЛЕКСОВ ЦИКЛОДЕКСТРИН-ФОТОСЕНСИБИЛИЗАТОР mTHPC | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Гольцев, Н. А. Недзьведь, В. П. Зорин | ||
| "... was studied. The photostability is a characteristic of the bond strength of the photosensitizer-carrier ..." | ||
| № 7 (2014) | ПРОСТРАНСТВЕННО-ОРИЕНТИРОВАННАЯ УГЛОВАЯ ЛОКАЛИЗАЦИЯ И ПАРАМЕТРИЗАЦИЯ РЕПЕРОВ НА ИЗОБРАЖЕНИЯХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Журавлёв, В. Ю. Цветков | ||
| "... пространственной ориентации. Показано, что метод обеспечивает устойчивость идентификационных параметров реперов при ..." | ||
| № 4 (2018) | ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ (FeIn2S4)0,5×(AgIn5S8)0,5 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Г. Баругу | ||
| "... of thermal expansion was determined. Debye temperature and the mean square dynamic displacements of atoms ..." | ||
| № 5 (2016) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА НАНОШНУРОВ СИЛИЦИДА КАЛЬЦИЯ Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Богородь, С. А. Волчёк, Д. Б. Мигас | ||
| "... , while Ca2Si<010> and <100> nanowires show metallic properties because surface atoms at {001} facets ..." | ||
| № 8 (2013) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Н. Цырельчук, В. В. Хорошко, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов | ||
| "... on the concentration of Zn atoms and the correlation between films thermal e.m.f. coefficient and their resistivity ..." | ||
| № 4 (2016) | ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕМАТИКИ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СИСТЕМЫ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ С ИНТЕРАКТИВНОЙ ВИЗУАЛИЗАЦИЕЙ РЕЗУЛЬТАТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Е. Карпович, В. В. Кузнецов, М. М. Форутан | ||
| "... от положения и ориентации в трехмерном пространстве рабочей платформы системы перемещений с шестью ..." | ||
| № 3 (2013) | РАЗРАБОТКА МОДУЛЕЙ СТРУКТУРИРОВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ДОКУМЕНТАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Стержанов, И. В. Байдаков | ||
| "... Рассматривается система управления техническими документами (СУТД) Stagirites, имеющая ориентацию ..." | ||
| № 5 (2016) | ВЫРAЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ AgIn5S8 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Боднарь, Х. Т. Алрекаби, Т. Г. Баругу | ||
| "... , the Debye temperatures (QD) and the root-mean-square dynamic displacements of atoms ( ) in AgIn5S8 compound ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
| "... on the transition metal atoms: in particular, the main one on the d-orbital of the transition metal atom (and only ..." | ||
| № 4 (2018) | ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. ХА. Дао, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... The results of device-technological and schematic simulation of the silicon Hall sensor ..." | ||
| № 3 (2019) | ПЕРСПЕКТИВЫ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ НАНОФОТОНИКИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... with lanthanides in matrices with macro- and mesoporous silicon, porous anodic alumina and synthetic opals ..." | ||
| № 8 (2013) | ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, Б. С. Колосницын, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич | ||
| "... The strontium titanate thin films were fabricated on silicon using the sol-gel method ..." | ||
| № 7 (2014) | ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА СТРУКТУРУ И СОСТАВ ПОРИСТЫХ ПЛЕНОК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ ФОРМОВКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Сасинович, В. Б. Высоцкий, С. К. Лазарук | ||
| "... and aluminium films deposited on silicon wafers is presented. Anodization process was held in the 2 % sulphuric ..." | ||
| № 7 (2014) | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОНДЕНСАТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. Ф. Гук, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич | ||
| "... The thin film capacitors were formed on silicon. The capacitor is based on the strontium titanate ..." | ||
| № 5 (2013) | ФОТО-, КАТОДО- И РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В АЛЮМОИТТРИЕВЫХ КОМПОЗИТАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... of anodic alumina film grown on silicon wafer. The possibility of application both of the method for high ..." | ||
| № 8 (2017) | ВЗАИМОСВЯЗЬ МЕЖДУ КИСЛОРОДНОЙ НЕСТЕХИОМЕТРИЕЙ И СВЕРХСТРУКТУРНЫМ УПОРЯДОЧЕНИЕМ Fe/Mo В Sr2FeMoO6-d | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, В. А. Турченко, Д. В. Карпинский, В. А. Чумак, А. В. Петров, А. Л. Желудкевич | ||
| "... content and the superstructural ordering of Fe/Mo cations increases, whereas the Fe-O2 and Mo-O1 bond ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... , silicon and silicon carbide substrates. The subject of the research is the electrical, frequency ..." | ||
| № 3 (2014) | МЕТОДИКА И ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЙ КОМПЛЕКС ФУНКЦИОНАЛЬНОГО КОНТРОЛЯ МИКРОДИСПЛЕЙНОГО МОДУЛЯ ВИДЕОПРОЕКЦИОННОГО УСТРОЙСТВА ПЕРСОНАЛЬНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Мохаммед, Е. В. Муха, А. А. Степанов, А. В. Пасынков, А. Г. Смирнов | ||
| "... or a LED microdisplay based on Schottky diodes nanoporous silicon- nanostructured aluminium, a Video ..." | ||
| № 1 (2019) | МЕТОДЫ И АЛГОРИТМЫ ГЕНЕРАЦИИ ПРОГРАММНЫХ ТРАЕКТОРИЙ РОБОТОВ-МАНИПУЛЯТОРОВ В ПРОЦЕССЕ ДУГОВОЙ СВАРКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. М. Кожевников, О. А. Чумаков, И. Э. Илюшин, Л. А. Лоборева | ||
| "... на его ориентацию. Эффективность разработанных методов и алгоритмов подтверждена результатами ..." | ||
| № 7 (2015) | НОРМАЛИЗАЦИЯ ПО ТОЛЩИНЕ И ПАРАМЕТРИЗАЦИЯ КОНТУРНЫХ ЛИНИЙ ИЗОБРАЖЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Шевчук, Д. И. Кирилюк, Е. Г. Макейчик, В. Ю. Цветков | ||
| "... ориентаций их фрагментов. Произведено сравнение предложенного метода с известными методами скелетизации ..." | ||
| № 6 (2014) | КОНСТРУКТОР ОБЪЕКТОВ ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИОЛОКАЦИОННЫХ СИГНАЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Солонар, С. Н. Ярмолик, А. С. Храменков, А. А. Михалковский, П. А. Хмарский | ||
| "... объекта, его ориентацию и особенности пространственного перемещения, наличие на поверхности объекта систем ..." | ||
| № 3 (2012) | РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... структурах наблюдается при ориентации детектора в направлении вдоль каналов пор анодного оксида алюминия ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... of the gate dielectric is ensured by its rapid thermal treatment when missing the silicon dioxide on the non ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Синтез и свойства композитных материалов на основе наночастиц оксида цинка в диэлектрической матрице | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ю. Коренькова, И. А. Тихонов, Е. Б. Чубенко | ||
| "... on a silicon substrate by centrifugation. Using scanning electron microscopy, we studied the structure ..." | ||
| № 3 (2015) | ВОЗБУЖДЕНИЕ КОЛЕБАНИЙ НАМАГНИЧЕННОСТИ В НАНОСТРУКТУРАХ ПОТОКОМ ЭЛЕКТРОНОВ С ПЛАНАРНОЙ СПИНОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кухарев, А. Л. Данилюк | ||
| "... отсутствие внешнего магнитного поля в зависимости от ориентации оси легкого намагничивания свободного слоя ..." | ||
| № 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
| "... and in case of placing a various number of silicon wafers in the microwave discharge have been analyzed ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
| "... by the capture of injected electrons by neutral impurity atoms, and the edge of the conduction band. In this case ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Воздействие ультразвука на нестероидные противовоспалительные лекарства в комплексных соединениях нанокомпозитов на основе оскидов меди, железа, цинка и графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Михновец, А. Н. Ткач, В. С. Федосенко, Д. В. Радюк | ||
| "... improved optoelectronic properties due to copper and iron atoms in the matrix of graphene ..." | ||
| 1 - 95 из 95 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
