Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 18, № 8 (2020) Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий
"... is a gallium nitride high electron mobility transistor device structure. The subject of the research ..."
 
Том 18, № 3 (2020) Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха
"... The self-heating effect is a major problem for gallium nitride electronic, optoelectronic ..."
 
№ 7 (2015) КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий
"... для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов
"... подвижностью носителей заряда, что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового ..."
 
Том 18, № 7 (2020) Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко
"... -dimensional semiconductor structure containing graphene and layers of boron hexagonal nitride using the Monte ..."
 
№ 5 (2018) МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мищенко
"... полупроводниковой структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло. Предложен новый набор значений ..."
 
№ 5 (2016) СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц
 
№ 8 (2015) МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОМЕРНОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мищенко
"... gallium arsenide. Recommendations about a choice of sizes of a temporary step and length of a spatial cell ..."
 
№ 6 (2016) ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мищенко
"... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..."
 
Том 19, № 1 (2021) Исследование процесса реактивного ионно-лучевого распыления арсенида галлия с использованием оптической эмиссионной спектроскопии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. В. Телеш
"... The aim of this work was to study the process of reactive ion-beam sputtering of gallium arsenide ..."
 
№ 7-8 (2019) ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕИВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ, РАСПОЛОЖЕННОМ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ГЕКСОГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко
"... on a substrate of hexagonal boron nitride are presented. Graphene is considered a promising material ..."
 
№ 5 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДАМИ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО И ИОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. В. Ермоленко, А. П. Достанко, Д. А. Голосов, С. М. Завадский
"... This paper studies the optical characteristics of aluminum nitride thin films deposited by reactive ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко
"... are important for creating of nitride-based UV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high ..."
 
№ 2 (2013) ГИДРОТЕРМАЛЬНОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Б. Чубенко
"... nanocrystals were carried-out in a equimolar solutions containing zinc nitride Zn(NO3)2 ..."
 
№ 8 (2018) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко
"... , который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других ..."
 
1 - 15 из 15 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)