Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 1 (2016) СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Д. Сыман, А. П. Яблонский, И. А. Кашко, К. В. Гирель, А. В. Бондаренко
"... The study results of formation regularities, morphology and composition of porous silicon particles ..."
 
№ 8 (2016) MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
"... The model of formation and dissolution of neutral boron clusters in silicon has been developed ..."
 
№ 6 (2019) ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Д. Гурбо, А. В. Клименко, В. П. Бондаренко
"... Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation ..."
 
Том 18, № 1 (2020) ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко
"... The influence of silicon wafer crystallographic orientation on the formation of porous silicon ..."
 
№ 4 (2017) ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. Ю. Рощин, А. В. Бондаренко
"... of nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко
"... Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun ..."
 
№ 8 (2017) ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. А. Завацкий, А. В. Бондаренко
"... silicon are presented. Porosity of the porous silicon samples was calculated by two gravimetric methods ..."
 
№ 2 (2018) РАЗЛОЖЕНИЕ МОНОГИДРИДОВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАТИНО-РЕНИЕВОЙ ШПИНЕЛИ В КАЧЕСТВЕ КАТАЛИЗАТОРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, Д. Ф. Кузнецов, Я. С. Воронец
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск MANAGING THE SURFACE PROPERTIES OF MATERIALS OF DISPLAY TECHNOLOGY BY MEANS OF TREATMENT IN ATMOSPHERIC DISCHARGE PLASMA Аннотация  похожие документы
Y. V. Zaporozhchenko, D. A. Kotov, А. V. Aksyuchits, A. N. Osipov, S. V. Paceev
"... The results of research the surface of single-crystal silicon, glass, and stainless steel after ..."
 
№ 7 (2017) ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
,
 
№ 2 (2017) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко
"... of 4H-SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average ..."
 
Том 18, № 3 (2020) Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для оптических межсоединений Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ле Динь Ви, А. А. Лешок, А. В. Долбик, С. Л. Перко, С. К. Лазарук
"... The paper analyzes the parameters of silicon avalanche LEDs and their use for electron-optical ..."
 
№ 8 (2018) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко
"... a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained. ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. С. Хорошко, А. В. Баглов, А. А. Гнитько
"... from ultrathin alternating layers of titanium and silicon oxides with different order of alternating ..."
 
№ 1 (2016) ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. И. Шерстнёв, Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, В. А. Петрович, В. А. Пилипенко, В. П. Бондаренко
"... The results of electrochemical deposition of zinc oxide into ordered porous silicon matrix, formed ..."
 
№ 7-8 (2019) ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В КАЧЕСТВЕ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ СВЕТОДИОДОВ, НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ви Ле Динь, А. Ю. Клюцкий, А. А. Долбик, А. А. Лешок, С. К. Лазарук
"... silicon on the parameters of the formed devices, such as the light emission voltage and the stability ..."
 
№ 2 (2019) КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Л. Прищепа
"... The use of porous silicon in the field of superconducting nanoelectronics is considered ..."
 
№ 2 (2019) АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников
"... of refractory metals and semiconductor silicides, one-dimensional structures of silicon, А3В5 semiconductors ..."
 
№ 2 (2016) ФОРМИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОНИТЕЙ МЕТОДОМ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Бондаренко, К. В. Гирель, С. А. Невзоров, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко
"... The results of study and development of silicon nanowires (SiNWs) formation by metal-assisted ..."
 
№ 4 (2019) РОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев
"... The design specific features of the rapid thermal treatment automated unit for silicon wafers ..."
 
Том 18, № 3 (2020) Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Я. Д. Галкин, А. В. Кунц, В. Р. Стемпицкий, Н. Н. Прокопенко
"... on the master slice array MN2XA030 for silicon photomultiplier tubes. The amplifier is called ADPreampl3 ..."
 
№ 1 (2017) СТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина
 
№ 2 (2017) ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко
"... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..."
 
1 - 23 из 23 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)