Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 5 (2013) МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов
"... and modeling of their variations with an ionizing radiation. The degradation of MOSFET transistors of the 1554 ..."
 
№ 3 (2016) Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский, С. А. Сорока, С. В. Шведов, Д. А. Огородников
"... transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. ..."
 
№ 3 (2017) ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий
"... transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm. ..."
 
№ 3 (2015) ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ч. Чан, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока
"... and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital ..."
 
№ 7 (2014) ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. А. Кулешов
"... Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики наноразмерных МОП ..."
 
№ 4 (2013) ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак
"... (concentration level in the emitter of the bipolar transistor as apart of the IGBT structure, implantation dose ..."
 
№ 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. М. Боровик
"... адекватности результатов моделирования наноразмерных МОП-структур. ..."
 
№ 7 (2015) ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ УСТРОЙСТВА СЕЛЕКЦИИ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ДИСТАНЦИОННОГО СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. В. Мельников, В. А. Мельников
"... МОП-транзисторах и разработки на их основе модуля управления модулятором добротности устройства ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов
"... The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO ..."
 
№ 3 (2017) УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич
"... The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement ..."
 
№ 5 (2018) ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров
 
№ 2 (2017) ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, В. И. Плебанович, А. И. Бересневич, И. А. Бурак
"... of the functional parameters of three types of high-power transistors as the representatives of electronic products ..."
 
№ 6 (2016) ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мищенко
"... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..."
 
№ 8 (2016) БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий
"... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..."
 
№ 5 (2018) ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко
"... на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка ..."
 
№ 8 (2014) ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, В. Р. Стемпицкий
"... Предложен новый подход расчета электрических характеристик наноразмерных МОП-транзисторов, сущность ..."
 
№ 2 (2014) ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Сокол, С. А. Костюченко
"... and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented. ..."
 
№ 6 (2013) МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Боровиков
"... failures of bipolar transistors. It allows the reaction of the functional parameter specific instance ..."
 
№ 7 (2015) КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий
"... systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly ..."
 
№ 2 (2019) КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Л. Прищепа
"... and implementation of new highly-sensitive radiation detectors, magnetometers, QPS qubits, QPS transistors ..."
 
№ 5 (2019) Формирование пленок оксида титана методом реактивного магнетронного распыления Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Вилья, Д. А. Голосов, Т. Д. Нгуен
 
№ 5 (2013) КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко
"... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..."
 
№ 8 (2016) ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. И. Плебанович, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, И. А. Бурак
"... Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ ..."
 
№ 4 (2014) МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ТОКОВЕДУЩИХ ЭЛЕМЕНТАХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В РЕЗУЛЬТАТЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев, В. Л. Ланин, В. Г. Левин
"... токоведущих элементах интегральных микросхем вследствие контактного воздействия разряда статического ..."
 
№ 3 (2012) ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский
"... коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Шуленкова, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, М. В. Киросирова
"... choice for use in the production of various devices, such as LEDs and transistors, cover glasses ..."
 
№ 7 (2013) ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ПРОГНОЗ ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. М. Боровиков
 
№ 6 (2013) КАЛИБРОВКА СИСТЕМЫ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОВОДНИКОВ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Н. Губчик
"... положения проводника, соединяющего полупроводниковую микросхему с подложкой. Строится нелинейная модель ..."
 
№ 2 (2013) ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ В СТАТИСТИЧЕСКОМ ПРОЕКТИРОВАНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Г. Павлов, Т. Ч. Чан, А. И. Костров, В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий
"... интерпретации промышленных измерений результатов формирования элементов интегральных микросхем (ИМС ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко
"... /GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron ..."
 
1 - 30 из 30 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)