bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-991Research ArticleСтатьиТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ (FeIn2S4)0,5×(AgIn5S8)0,5Thermal expansion of (FeIn2S4)0.5×(AgIn5S8)0.5 single crystalsБаругуТ. Г.BaruguT. H.chemzav@bsuir.byБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика БеларусьBelarus201803062019041822Copyright © Баругу Т.Г., 20192019Баругу Т.Г.Barugu T.H.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/991

Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы (FeIn2S4)0,5×(AgIn5S8)0,5, определен их состав и структура. Установлено, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Методом наименьших квадратов рассчитан параметр элементарной ячейки. Дилатометрическим методом измерено тепловое расширение, определен коэффициент теплового расширения. Проведен расчет температуры Дебая и среднеквадратичных динамических смещений атомов для выращенных монокристаллов.

(FeIn2S4)0.5×(AgIn5S8)0.5 single crystals have been grown with method of directional crystallization. Their composition and structure were determined. It is seen that the pointed compounds and solid solutions are crystallized in the spinal cubic structure. The elementary cell parameters was calculated with the least square method. The thermal expansion was measured by a dilatometric method, the coefficient of thermal expansion was determined. Debye temperature and the mean square dynamic displacements of atoms for grown single crystals were calculated.

монокристаллыкристаллическая структурапараметр элементарной ячейкикоэффициент теплового расширениятемпература Дебаяsingle cryslalscrystal structureelementary cell parameterthermal expansion coefficientDebye temperatureReferencesElectrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure / D.K. Young [ et al.] // Nature. 1999. Vol. 402, № 6763. P. 790-797.Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure / D.K. Young [ et al.] // Nature. 1999. Vol. 402, № 6763. P. 790-797.Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Рустамов А.Г. Оптические свойства монокристаллов MnGa2S4 // ФТП. 1990. Т. 24, № 4. С. 758-760.Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Рустамов А.Г. Оптические свойства монокристаллов MnGa2S4 // ФТП. 1990. Т. 24, № 4. С. 758-760.Четверные твердые растворы (FeIn2S4)x·(MnIn2S4)1-x и фоточувствительные структуры на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. Т. 45, № 7. С. 941-946.Четверные твердые растворы (FeIn2S4)x·(MnIn2S4)1-x и фоточувствительные структуры на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. Т. 45, № 7. С. 941-946.Determination of the dielectric function of MnIn2S4 single crystals by spectroscopic ellipsometry / M. Leon [et al.] // J. Phys. Chem. Solids. 2012. Vol. 73, № 6. P. 720-723.Determination of the dielectric function of MnIn2S4 single crystals by spectroscopic ellipsometry / M. Leon [et al.] // J. Phys. Chem. Solids. 2012. Vol. 73, № 6. P. 720-723.Reil S., Haeuseler H. Materials with layered structures X1: subsolidus phase diagram of the system FeIn2S4-FeIn2Se4 // J. Alloys Compounds. 1998. Vol. 270, № 1-2. Р. 83-87.Reil S., Haeuseler H. Materials with layered structures X1: subsolidus phase diagram of the system FeIn2S4-FeIn2Se4 // J. Alloys Compounds. 1998. Vol. 270, № 1-2. Р. 83-87.Боднарь И.В. Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn2S4)1-х×(In2S3)х // ФТП. 2014. Т. 48, № 9. С. 1194-1197.Боднарь И.В. Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn2S4)1-х×(In2S3)х // ФТП. 2014. Т. 48, № 9. С. 1194-1197.Optical and electrical properties of CuIn5S8 and AgIn5S8 single crystals / A. Usujima [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. 1981. Vol. 20, № 7. P. L505-L507.Optical and electrical properties of CuIn5S8 and AgIn5S8 single crystals / A. Usujima [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. 1981. Vol. 20, № 7. P. L505-L507.Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и поверхностно-барьерных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1043-1046.Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и поверхностно-барьерных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1043-1046.Получение и исследование гетеропереходов AgIn5S8/(InSe, GaSe) / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1999. Т. 33, № 7. С. 805-809.Получение и исследование гетеропереходов AgIn5S8/(InSe, GaSe) / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1999. Т. 33, № 7. С. 805-809.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.