bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-931Research ArticleСтатьиЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ВАКУУМНОГО ПЛАНАРНОГО ТРИОДАElectrical characteristics of vacuum planar triode with four electrodesСтолярН. Ф.StoliarM. F.n.stolyar@list.ruДанилюкА. Л.DaniliukA. L.noemail@neicon.ruБорисенкоВ. Е.BorisenkoV. E.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian state university of informatics and radioelectronics201703062019084147Copyright © Столяр Н.Ф., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е., 20192019Столяр Н.Ф., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е.Stoliar M.F., Daniliuk A.L., Borisenko V.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/931

В данной работе произведено моделирование анодных и сеточных характеристик для твердотельного вакуумного микроразмерного твердотельного триода. Было произведено сравнение экспериментальных и рассчитанных характеристик. Рассчитаны зависимости для крутизны и внутреннего сопротивления структуры. Определен коэффициент усиления микротриода.

Modeling of anode and gate characteristics of solid-state vacuum microtriode was made in this work. The calculated characteristics were compared with experimental ones. Dependencies of steepness and internal resistance were calculated. Microtriode gain was found.

микроэлектроникавакуумный микротриодполевая эмиссияmicroelectronicsvacuum microtriodefield emissionReferencesJin-WooHan, JaeSubOh, Meyyappan M.Vacuum nanoelectronics: Back to future? - Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor // Applied Physics Letters. 2012. Vol. 100. P. 213505.Jin-WooHan, JaeSubOh, Meyyappan M.Vacuum nanoelectronics: Back to future? - Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor // Applied Physics Letters. 2012. Vol. 100. P. 213505.Tomasz Grzebyk, Anna Gorecka-Drzazga. Field-emission electron source for vacuum micropump // Vacuum. 2011. Vol. 86. P. 39-43.Tomasz Grzebyk, Anna Gorecka-Drzazga. Field-emission electron source for vacuum micropump // Vacuum. 2011. Vol. 86. P. 39-43.Kenji Natori. Ballistic/quasi-ballistic transport in nanoscale transistor // Applied Surface Science. 2008. Vol. 254. P. 6194-6198.Kenji Natori. Ballistic/quasi-ballistic transport in nanoscale transistor // Applied Surface Science. 2008. Vol. 254. P. 6194-6198.Gallyamov Z.R., Nikiforov K.A. Model of electron transport in cell of a thin-film vacuum nanotriode // Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541. P. 012035.Gallyamov Z.R., Nikiforov K.A. Model of electron transport in cell of a thin-film vacuum nanotriode // Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541. P. 012035.Фурсей Г.Н. Автоэлектронная эмиссия // Соровский образовательный журнал. 2000. Т. 6, № 11. С. 96-103.Фурсей Г.Н. Автоэлектронная эмиссия // Соровский образовательный журнал. 2000. Т. 6, № 11. С. 96-103.Seok Woo Lee, Seung S. Lee, Eui-Hyeok Yang. A Study on Field Emission Characteristics of Planar Graphene Layers Obtained from a Highly Oriented Pyrolyzed Graphite Block // Nanoscale Res Lett. DOI 10.1007/s11671-009-9384-9.Seok Woo Lee, Seung S. Lee, Eui-Hyeok Yang. A Study on Field Emission Characteristics of Planar Graphene Layers Obtained from a Highly Oriented Pyrolyzed Graphite Block // Nanoscale Res Lett. DOI 10.1007/s11671-009-9384-9.Nitrogen-incorporated nanodiamond vacuum field emission transistor with vertically configured self-aligning gate/ S.H. Hsu [et al.] // Diamond & Related Materials. 2012. Vol. 22. P. 142-146.Nitrogen-incorporated nanodiamond vacuum field emission transistor with vertically configured self-aligning gate/ S.H. Hsu [et al.] // Diamond & Related Materials. 2012. Vol. 22. P. 142-146.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.