<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-894</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ЭКРАНИРУЮЩИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (FeIn2S4)х ×(AgIn5S8)1-х В СВЧ-ДИАПАЗОНЕ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Shielding properties of the (FeIn2S4)х×(AgIn5S8)1-х system in the microwave range</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Пухир</surname><given-names>Г. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Pukhir</surname><given-names>H. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">pukhir@tut.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Баругу</surname><given-names>Т. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Barugu</surname><given-names>T. G.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Боднарь</surname><given-names>И. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Bodnar'</surname><given-names>I. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>4</issue><fpage>77</fpage><lpage>82</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Пухир Г.А., Баругу Т.Г., Боднарь И.В., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Пухир Г.А., Баругу Т.Г., Боднарь И.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Pukhir H.A., Barugu T.G., Bodnar' I.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/894">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/894</self-uri><abstract><p>Получены частотные зависимости ослабления и коэффициента отражения для тройных соединений FeIn2S4, AgIn5S8 и твердых растворов (FeIn2S4)х ×(AgIn5S8)1- х  при взаимодействии с излучением СВЧ-диапазона. Установлено, что кристаллы указанных мА материалов обеспечивают ослабление электромагнитного излучения от 6 до 14 дБ в диапазоне частот 8…12 ГГц. При толщине образцов порядка 1 мм наибольшей эффективностью экранирования обладают кристаллы соединения FeIn2S4. Коэффициент отражения в таких образцах может быть снижен до -18 дБ. Наличие ионов серебра в составе твердого раствора повышает коэффициент отражения до -1,5…-2 дБ.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The frequency dependences of attenuation and reflection coefficient for solid solutions of the (FeIn2S4)х ×(AgIn5S8)1-х system upon interaction with microwave radiation are obtained. It is established that crystal powders of the mentioned compounds provide attenuation of the electromagnetic radiation from 6 dB till 14 dB in the range 8...12 GHz. With comparative thickness about 1 mm FeIn2S4 compound crystals have the most shielding efficient. The reflection coefficient of such samples can be reduced till -18 dB. With silver ions in solid solution reflection coefficient increases to -1,5…-2 dB.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>монокристаллы</kwd><kwd>твердые растворы</kwd><kwd>кристаллическая структура</kwd><kwd>электромагнитное излучение</kwd><kwd>коэффициент отражения</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>single crystals</kwd><kwd>solid solutions</kwd><kwd>crystal structure</kwd><kwd>electromagnetic radiation</kwd><kwd>reflection coefficient</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Нифтиев Н.Н. Термостимулированные токи в монокристаллах MnIn2S4 // ФТП. 2002. Т. 36, № 7. C. 836-837.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Нифтиев Н.Н. Термостимулированные токи в монокристаллах MnIn2S4 // ФТП. 2002. Т. 36, № 7. C. 836-837.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Electrical spin ijection in a ferromagnetic semiconductors heterostructure / Ohno Y. [et al.] // Nature. 1999. Vol. 402. С. 790-792.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Electrical spin ijection in a ferromagnetic semiconductors heterostructure / Ohno Y. [et al.] // Nature. 1999. Vol. 402. С. 790-792.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и поверхностно-барьерных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С.1043-1046.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и поверхностно-барьерных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С.1043-1046.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 2009. Т. 43, № 11. С. 1553-1556.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 2009. Т. 43, № 11. С. 1553-1556.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Optical and electrical properties of CuIn5S8 and AgIn5S8 single crystals / Usujima A. [et al.] // Jap. J. Appl. Phys. 1981. № 20. P. 505-507.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Optical and electrical properties of CuIn5S8 and AgIn5S8 single crystals / Usujima A. [et al.] // Jap. J. Appl. Phys. 1981. № 20. P. 505-507.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Твердые растворы (FeIn2S4)х×(AgIn5S8)1-x: кристаллическая структура, спектры ЯГР и ширина запрещенной зоны / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 2017. Т. 51, № 10. С. 1435-1439.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Твердые растворы (FeIn2S4)х×(AgIn5S8)1-x: кристаллическая структура, спектры ЯГР и ширина запрещенной зоны / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 2017. Т. 51, № 10. С. 1435-1439.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ 22261-94 Средства измерений электрических и магнитных величин: Общие технические условия.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">ГОСТ 22261-94 Средства измерений электрических и магнитных величин: Общие технические условия.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Иверонова В.И., Кацнельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. М.: Наука, 1977. 255 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Иверонова В.И., Кацнельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. М.: Наука, 1977. 255 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Защитные экраны и поглотители электромагнитных волн / О.С. Островский [и др.] // ФИП. 2003. Т. 1, № 2. С. 161-173.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Защитные экраны и поглотители электромагнитных волн / О.С. Островский [и др.] // ФИП. 2003. Т. 1, № 2. С. 161-173.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кацнельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах металлов // Соросовский образовательный журнал. 1999. № 11. С. 110-116.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кацнельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах металлов // Соросовский образовательный журнал. 1999. № 11. С. 110-116.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
