bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-875Research ArticleСтатьиПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (FeIn2S4)0.5·(CuIn5S8)0.5Surface-barrier structures based on single crystals of a solid solution (FeIn2S4)0.5•(CuIn5S8)0.5БоднарьИ. В.BodnarI. V.chemzav@bsuir.byЖафарМ. А.JaafarM. A.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201703062019054045Copyright © Боднарь И.В., Жафар М.А., 20192019Боднарь И.В., Жафар М.А.Bodnar I.V., Jaafar M.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/875

Методом Бриджмена выращены монокристаллы (FeIn2S4)0.5·(CuIn5S8)0.5. Исследован их состав, кристаллическая структура и удельное сопротивление. На основе выращенных монокристаллов созданы поверхностно-барьерные структуры In/(FeIn2S4)0.5·(CuIn5S8)0.5 и изучены их фотоэлектрические свойства.

The single crystals (FeIn2S4)0.5·(CuIn5S8)0.5 have been grown using Bridgeman method. Its composition and crystal structure and resistivity were examined. The surface-barrier structures In/(FeIn2S4)0.5·(CuIn5S8)0.5 were created on their basis and their photoelectrical properties were studied.

выращиваниемонокристаллыкристаллическая структураповерхностно-барьерные структурыфоточувствительностьgrowingsingle crystalscrystal structuresurface-barrier structuresphotosensitivityReferencesElectrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure / Y. Ohno [et al.] // Nature. 1999. Vol. 402, № 6763. Р. 790-797.Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure / Y. Ohno [et al.] // Nature. 1999. Vol. 402, № 6763. Р. 790-797.Ferromagnetic Order Induced by Photogenerated Carriers in Magnetic III-V Semiconductor Heterostructures of (In,Mn)As/GaSb / S. Koshihara [et al.] // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 78, № 24. P. 4617-4620.Ferromagnetic Order Induced by Photogenerated Carriers in Magnetic III-V Semiconductor Heterostructures of (In,Mn)As/GaSb / S. Koshihara [et al.] // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 78, № 24. P. 4617-4620.Electric-field control of ferromagnetism / Y. Ohno [et al.] // Nature. 2000. Vol. 408, № 6815. P. 944-950.Electric-field control of ferromagnetism / Y. Ohno [et al.] // Nature. 2000. Vol. 408, № 6815. P. 944-950.Бекимбетов Р.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А. Электрические свойства монокристаллов FeIn2Se4 // ФТП. 1987. Т. 21, № 8. С. 1051-1053.Бекимбетов Р.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А. Электрические свойства монокристаллов FeIn2Se4 // ФТП. 1987. Т. 21, № 8. С. 1051-1053.Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 2009. Т. 43, № 11. C. 1553-1556.Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 2009. Т. 43, № 11. C. 1553-1556.Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Рустамов П.Г. Оптические свойства монокристаллов MnGa2S4 // ФТП. 1990. Т. 24, № 4. С. 758-760.Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Рустамов П.Г. Оптические свойства монокристаллов MnGa2S4 // ФТП. 1990. Т. 24, № 4. С. 758-760.Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn2S4 и MnGa2S4 // ФТП. 2004. Т. 38, № 2. С. 164-165.Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn2S4 и MnGa2S4 // ФТП. 2004. Т. 38, № 2. С. 164-165.Reil S., Haeuseler H. Materials with layered structures X1: subsolidus phase diagram of the system FeIn2S4-FeIn2Se4 // J. Alloys Compounds. 1998. Vol. 270, № 1-2. Р. 83-87.Reil S., Haeuseler H. Materials with layered structures X1: subsolidus phase diagram of the system FeIn2S4-FeIn2Se4 // J. Alloys Compounds. 1998. Vol. 270, № 1-2. Р. 83-87.Kitamura S., Endo S., Irie T. Semiconducting properties of CuIn5S8 single crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1985. Vol. 46, № 8. Р. 881-885.Kitamura S., Endo S., Irie T. Semiconducting properties of CuIn5S8 single crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1985. Vol. 46, № 8. Р. 881-885.Орлова Н.С., Боднарь И.В., Кудрицкая Е.A. Структура и физико-химические свойства CuIn5S8 // Неорган. материалы. 1997. Т. 33, № 8. С. 932-934.Орлова Н.С., Боднарь И.В., Кудрицкая Е.A. Структура и физико-химические свойства CuIn5S8 // Неорган. материалы. 1997. Т. 33, № 8. С. 932-934.Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1043-1046.Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 / И.В. Боднарь [и др.] // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1043-1046.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.