bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-850Research ArticleСтатьиОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НИКЕЛЯ В МЕЗОПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙFEATURES OF ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF NICKEL IN MESOPOROUS SILICONДолгийА. Л.DolgiyA. L.noemail@neicon.ruПрищепаС. Л.PrischepaS. L.noemail@neicon.ruПетровичВ. А.PetrovichV. A.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201203062019017682Copyright © Долгий А.Л., Прищепа С.Л., Петрович В.А., Бондаренко В.П., 20192019Долгий А.Л., Прищепа С.Л., Петрович В.А., Бондаренко В.П.Dolgiy A.L., Prischepa S.L., Petrovich V.A., Bondarenko V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/850

Методом электрохимического анодирования в растворе фтористоводородной кислоты на поверхности монокристаллических кремниевых пластин сформированы слои мезопористого кремния. Электрохимическим методом в пористый кремний проведено осаждение никеля. Исследована зависимость поверхностного потенциала мезопористого кремния от времени осаждения никеля. Сканирующая электронная микроскопия использована для изучения структуры полученных образцов. Установлено, что на начальных стадиях осаждения в нижней части пористого слоя происходит формирование зерен никеля размерами до 30-60 нм. В процессе осаждения размеры зерен увеличиваются до 40-70 нм и увеличивается их количество. При больших временах осаждения начинается рост зерен никеля на поверхности пластин, причем осаждаемый слой никеля достаточно плотен, а размеры зерен никеля в этом слое не превышают 10 нм. Показано, что, осуществляя контроль величины поверхностного потенциала в процессе электрохимического осаждения, можно определить момент полного заполнения каналов пор никелем и начала роста сплошной пленки на поверхности образца.

Layers of mesoporous Silicon were formed on the surface of monocrystalline silicon wafers by electrochemical anodization in a solution of hydrofluoric acid. Nickel was electrochemically deposited in porous silicon. The dependence of the surface potential of mesoporous Silicon versus Nickel deposition time was investigated. Scanning electron microscopy was used to study the structure of the samples. At the initial stages of deposition in the lower part of the porous layer 30-60 nm grains of Nickel are formed. During the deposition the grain size increases up to 40-70 nm as well as their quantity. For large time of deposition the growth of Nickel grains starts also on the sample surface, and the deposited Nickel layer is quite dense, the size of Nickel grains in this layer does not exceed 10 nm. By monitoring the magnitude of the surface potential during the electrochemical deposition, we can determine the moment of complete filling of channels of pores with Nickel and beginning of the growth of Nickel continuous film on the surface of the sample.

электрохимическое анодирование кремнияэлектрохимическое осаждение никеляпористый кремнийсканирующая электронная микроскопияReferencesLiu K., Nagodawithana K., Searson P.C. et al. // Phys. Rev. B.1995. Vol. 51, P. 7381.Liu K., Nagodawithana K., Searson P.C. et al. // Phys. Rev. B.1995. Vol. 51, P. 7381.Tsoi M., Sun J.Z., Rooks M.J. et al. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69, 100406(R).Tsoi M., Sun J.Z., Rooks M.J. et al. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69, 100406(R).Dinner R.B., Robinson A.P., Wimbush S.C. et al. // Superconductor Science and Technology. 2011. Vol. 24. P. 055017.Dinner R.B., Robinson A.P., Wimbush S.C. et al. // Superconductor Science and Technology. 2011. Vol. 24. P. 055017.Zuxin Ye, Haidong Liu, Zhiping Luo et al. // Nanotechnology. 2009. Vol. 20. P. 045704.Zuxin Ye, Haidong Liu, Zhiping Luo et al. // Nanotechnology. 2009. Vol. 20. P. 045704.Harraz F.A., Sakka T., Ogata Y.H. // Physica Status Solidi. 2003. Vol. 197. P. 51.Harraz F.A., Sakka T., Ogata Y.H. // Physica Status Solidi. 2003. Vol. 197. P. 51.Rumpf K., Granitzer P., Pölt P. et al. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. P. 716.Rumpf K., Granitzer P., Pölt P. et al. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. P. 716.Granitzer P., Rumpf K., Pölt P. et al. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2007. Vol. 310. P. 838.Granitzer P., Rumpf K., Pölt P. et al. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2007. Vol. 310. P. 838.Ogata Y.H., Kobayashi K., Motoyama M. // Current Opinion in Solid State and Materials Science. 2006. Vol. 10. P. 163.Ogata Y.H., Kobayashi K., Motoyama M. // Current Opinion in Solid State and Materials Science. 2006. Vol. 10. P. 163.Резнев А.А., Пустовалов А.А., Максимов Е.М. и др. // Нано- и микросистемная техника. 2009. №3. С. 14.Резнев А.А., Пустовалов А.А., Максимов Е.М. и др. // Нано- и микросистемная техника. 2009. №3. С. 14.Русецкий М.С., Казючиц Н.М., Баев В.Г. и др. // Письма ЖТФ. 2011. Т. 37 (9). С. 1.Русецкий М.С., Казючиц Н.М., Баев В.Г. и др. // Письма ЖТФ. 2011. Т. 37 (9). С. 1.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.