<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-804</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭЛЕМЕНТОВ МЭМС НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>RESEARCH on MECHANICAL PROPERTIES OF MEMS COMPONENTS BASED ON anodic alumina</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Биран</surname><given-names>С. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Biran</surname><given-names>S. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Короткевич</surname><given-names>Д. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Korotkevich</surname><given-names>D. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Короткевич</surname><given-names>А. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Korotkevich</surname><given-names>A. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2016</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>7</issue><fpage>380</fpage><lpage>382</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Биран С.А., Короткевич Д.А., Короткевич А.В., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Биран С.А., Короткевич Д.А., Короткевич А.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Biran S.A., Korotkevich D.A., Korotkevich A.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/804">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/804</self-uri><abstract><p>В микроэлектромеханических системах (МЭМС) в настоящее время перспективным является использование наноструктурированных материалов. Одним из таких материалов является анодный оксид алюминия, который своими электрическими и механическими свойствами не уступает другим материалам, которые в настоящее время используются при производстве МЭМС-устройств. В данной статье приведены результаты по разработке методики и проведению измерения модуля Юнга свободных оксидных пленок алюминия.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Today, using of nanostructured materials in microelectromechanical systems (MEMS) is very perspective. One of such materials is anodic aluminum oxide that has electrical and mechanical properties not worse than other materials that are currently used in manufacturing of MEMS devices. This article presents the results of research in methodology and measurement of Young's modulus of free aluminum oxide films.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>анодный оксид алюминия</kwd><kwd>наноструктурированные материалы</kwd><kwd>модуль Юнга</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>anodic aluminum oxide</kwd><kwd>nanostructured materials</kwd><kwd>Young's modulus</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мухуров Н.И. Алюмооксидные микро-наноструктуры для микроэлектромеханических систем. Минск, 2004.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Мухуров Н.И. Алюмооксидные микро-наноструктуры для микроэлектромеханических систем. Минск, 2004.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сокол В.А., Короткевич А.В., Погудо Е.Л. и др. // Изв. Белорусской академии. 2003. № 1(15)/4. С. 42.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Сокол В.А., Короткевич А.В., Погудо Е.Л. и др. // Изв. Белорусской академии. 2003. № 1(15)/4. С. 42.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Биран С.А. , Короткевич Д.А., Короткевич А.В. // Матер. 25-ой Междунар. конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2015. С. 741-742.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Биран С.А. , Короткевич Д.А., Короткевич А.В. // Матер. 25-ой Междунар. конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2015. С. 741-742.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сивухин Д.В. Общий курс физики. Механика. М., 1979.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Сивухин Д.В. Общий курс физики. Механика. М., 1979.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
