bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-700Research ArticleСтатьиЯВЛЕНИЕ СЕГРЕГАЦИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В ОБЛАСТИ ЗАЛЕГАНИЯ p-n-ПЕРЕХОДАTHE PHENOMENON OF IMPURITY SEGREGATION IN THE VICINITY OF P-N-JUNCTIONВеличкоО. И.VelichkoO. I.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019063034Copyright © Величко О.И., 20192019Величко О.И.Velichko O.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/700

В рамках микроскопического механизма диффузии посредством образования, миграции и распада пар «атом примеси-собственный точечный дефект» проведено исследование явления сегрегации примеси в области p-n- перехода с учетом неоднородного распределения дефектов, ответственных за перенос примесных атомов.

On the basis of the microscopic diffusion mechanism due to formation, migration, and dissolution of «impurity atom-intrinsic point defect» pairs, the investigation of phenomenon of impurity segregation in the vicinity of p-n -junction was carried out. The nonuniform distribution of point defects responsible for impurity diffusion has been taken into account.

примесьдиффузиясегрегацияp-n-переходimpuritydiffusionsegregationp-n-junctionReferencesВеличко О.И. // Матер. VII Всесоюзн. конф. Часть 2. Минск, 1984. С. 180-181.Величко О.И. // Матер. VII Всесоюзн. конф. Часть 2. Минск, 1984. С. 180-181.Faney P., Dutton R.W., Hu S.M. // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44, № 8. P. 777-779.Faney P., Dutton R.W., Hu S.M. // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44, № 8. P. 777-779.Fair R.B. // Silicon integrated circuits / Ed. Kahng Dawon. New York. Acad.Press, 1981. Pt.B. P. 1-56.Fair R.B. // Silicon integrated circuits / Ed. Kahng Dawon. New York. Acad.Press, 1981. Pt.B. P. 1-56.Pichler P. // Computational Microelectronics / Ed. S. Selberherr. Wien, New York, 2004.Pichler P. // Computational Microelectronics / Ed. S. Selberherr. Wien, New York, 2004.Bonar J.M., Willoughby A.F.W., Dan A.H. et al. // J. Mat. Sci.: Materials in Electronics. 2001. Vol.12. P. 219-221.Bonar J.M., Willoughby A.F.W., Dan A.H. et al. // J. Mat. Sci.: Materials in Electronics. 2001. Vol.12. P. 219-221.Servidori M., Angelucci R., Cemballi F. et al. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61, № 5. P. 1834-1840.Servidori M., Angelucci R., Cemballi F. et al. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61, № 5. P. 1834-1840.Mannino G., Solmi S., Privitera V. et. al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, № 23. P. 3764-3766.Mannino G., Solmi S., Privitera V. et. al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, № 23. P. 3764-3766.Crosby R.T., Jones K.S., Law M.E. et al. // Mat. Sci. Semicond. Process. 2007. Vol. 10. P. 1-5.Crosby R.T., Jones K.S., Law M.E. et al. // Mat. Sci. Semicond. Process. 2007. Vol. 10. P. 1-5.Shao L., Thompson P.E., van der Heide P.A.W. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004. Vol. 22 (1). P. 302-305.Shao L., Thompson P.E., van der Heide P.A.W. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004. Vol. 22 (1). P. 302-305.Encyclopedia of Materials: Science and Technology / Ed. Buschow K.H.J., Cahn R.W., Flemings M.C. et al. Elsevier Science Ltd., 2001.Encyclopedia of Materials: Science and Technology / Ed. Buschow K.H.J., Cahn R.W., Flemings M.C. et al. Elsevier Science Ltd., 2001.Willoughby A.F.W. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1977. Vol. 10. № 4. P. 455-480.Willoughby A.F.W. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1977. Vol. 10. № 4. P. 455-480.Hu S.M., Shmidt S. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. № 9. P. 4272-4283.Hu S.M., Shmidt S. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. № 9. P. 4272-4283.Fair R.B. // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. № 1. P. 283-291.Fair R.B. // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. № 1. P. 283-291.Lamrani Y., Cristiano F., Colombeau B. et al. // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. 2004. Vol. 216. P. 281-285.Lamrani Y., Cristiano F., Colombeau B. et al. // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. 2004. Vol. 216. P. 281-285.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.