bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-697Research ArticleСтатьиЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ Pb0,85Zr0,53Ti0,47O3 - Sr2FeMoO6-δELECTRICAL-PHYSICAL AND DIELECTRIC PROPERTIES OF Pb0,85Zr0,53Ti0,47O3 - Sr2FeMoO6-δ COMPOSITESГурскийА. Л.GurskiiA. L.noemail@neicon.ruМацуткевичЯ. ..MacutkevicJ. ..noemail@neicon.ruБанисЮ. ..BanysJ. ..noemail@neicon.ruПетровА. В.PetrovA. V.noemail@neicon.ruКаландаН. А.KalandaN. A.noemail@neicon.ruЯрмоличМ. В.YarmolichM. V.noemail@neicon.ruКлимзаА. А.KlimsaA. A.noemail@neicon.ruЖелудкевичА. Л.ZhaludkevichA. L.noemail@neicon.ruИгнатенкоО. В.IgnatenkoO. V.noemail@neicon.ruКужирП. П.KuzhirP. P.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusВильнюсский университетBelarusНаучно-практический центр НАН Беларуси по материаловедениюBelarusИнститут ядерных проблем БГУBelarus201603062019061117Copyright © Гурский А.Л., Мацуткевич Я..., Банис Ю..., Петров А.В., Каланда Н.А., Ярмолич М.В., Климза А.А., Желудкевич А.Л., Игнатенко О.В., Кужир П.П., 20192019Гурский А.Л., Мацуткевич Я..., Банис Ю..., Петров А.В., Каланда Н.А., Ярмолич М.В., Климза А.А., Желудкевич А.Л., Игнатенко О.В., Кужир П.П.Gurskii A.L., Macutkevic J..., Banys J..., Petrov A.V., Kalanda N.A., Yarmolich M.V., Klimsa A.A., Zhaludkevich A.L., Ignatenko O.V., Kuzhir P.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/697

C помощью комплексной керамической технологии и цитрат-гель синтеза изготовлены ферромагнитно-сегнетоэлектрические композиционные материалы на основе соединения Pb0,85Zr0,53Ti0,47O3-Sr2FeMoO6-δ (ЦТС-SFMO). Установлено, что диэлектрическая проницаемость образца с содержанием ЦТС - 55 вес. % и SFMO - 45 вес. % возрастает с температурой, вследствие роста электропроводности и влияния диэлектрической дисперсии, обусловленной релаксацией Максвелла - Вагнера. Электропроводность образца с содержанием ЦТС - 35 вес. % и SFMO - 65 вес. % имеет явно выраженную зависимость от частоты ниже температуры 600 K, в то время как при более высоких температурах электропроводность почти не зависит от частоты в диапазоне 20 Гц - 1 МГц. Это связано с существенным уменьшением критической частоты при более высоких температурах. При частотах выше 100 кГц и температуре ниже 600 K электропроводность возрастает по степенному закону.

Ferromagnetic-ferroelectric composite materials on the base of Pb0.85Zr0.53Ti0.47O3-Sr2FeMoO6-δ (PZT-SFMO) compound have been prepared by a complex ceramic technology and the citrate-gel synthesis. It was determined that the dielectric permittivity of a sample with a content of PZT of 55 wt. % and SFMO of 45 wt. % increases with temperature due to the rise of electrical conductivity and an influence of the dielectric dispersion caused by the Maxwell-Wagner relaxation. The electrical conductivity of the sample with a content of PZT of 35 wt. % and a content of SFMO of 65 wt. % possesses a clearly expressed frequency dependence, at temperature lower than 600 K, whereas at higher temperatures the electrical conductivity almost does not depends on frequency in the range 20 Hz-1 MHz. This is concerned with a considerable decrease of critical frequency at higher temperatures. At frequencies higher than 100 kHz and temperature lower than 600 K, the electrical conductivity increases by a power law.

ферромолибдат стронциятитанат-цирконат свинца бариякомпозиционные материалыэлектропроводностьдиэлектрическая проницаемостьstrontium ferromolybdatelead-barium titanate-zirconatecomposite materialelectrical conductivitydielectric permittivityReferencesКоротков Л.Н., Ситников А.В., Тарасов Д.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81, № 4. С. 124-127Коротков Л.Н., Ситников А.В., Тарасов Д.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81, № 4. С. 124-127Bartkowska J.A., Bochenek D., Michalik D. et.al. // Ceramic Materials. 2014. Vol. 66. P. 229-234Bartkowska J.A., Bochenek D., Michalik D. et.al. // Ceramic Materials. 2014. Vol. 66. P. 229-234Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М., 1976.Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М., 1976.Ma W., Cross L.E. // Applied Physics Letters. 2003. Vol. 82, № 19. P. 32934-32942.Ma W., Cross L.E. // Applied Physics Letters. 2003. Vol. 82, № 19. P. 32934-32942.Гурский Л.И., Каланда Н.А., Демьянов С.Е. и др. // Докл. БГУИР. 2011. № 3 (57). С. 44-49.Гурский Л.И., Каланда Н.А., Демьянов С.Е. и др. // Докл. БГУИР. 2011. № 3 (57). С. 44-49.Ротенберг Б.А. Керамические конденсаторные диэлектрики. СПб, 2000.Ротенберг Б.А. Керамические конденсаторные диэлектрики. СПб, 2000.Petrov А., Klimsa A.A., Gurskii L.I. et al. // Сб. матер. Междунар. конф. «Nanomeeting-2011». Минск, 24-27 мая 2011 г. C. 226-229.Petrov А., Klimsa A.A., Gurskii L.I. et al. // Сб. матер. Междунар. конф. «Nanomeeting-2011». Минск, 24-27 мая 2011 г. C. 226-229.Whatmore R.W. // Ferroelectrics. 1999. Vol. 225. P. 179-195.Whatmore R.W. // Ferroelectrics. 1999. Vol. 225. P. 179-195.Suchaneck G., Gerlach G. // Ferroelectrics. 2006. Vol. 335. P. 701-710.Suchaneck G., Gerlach G. // Ferroelectrics. 2006. Vol. 335. P. 701-710.Damjanovic D. // Reports on Progress in Physics. 1998. Vol. 61. P. 1267-1293.Damjanovic D. // Reports on Progress in Physics. 1998. Vol. 61. P. 1267-1293.Zhang Q.M., Cao W., Zhao J. et. al. // IEEE Trans. Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. 1994. Vol. 41. P. 556-564.Zhang Q.M., Cao W., Zhao J. et. al. // IEEE Trans. Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. 1994. Vol. 41. P. 556-564.Ledermann N., Muralt P., Babowski J. et al. // Sensors and Actuators. 2003. Vol. A105. P. 162-171.Ledermann N., Muralt P., Babowski J. et al. // Sensors and Actuators. 2003. Vol. A105. P. 162-171.Niebieskikwiat D., Prado F., Caneiro A. et. al. // Phys. Rev. 2004. Vol. B 70. P. 132412.Niebieskikwiat D., Prado F., Caneiro A. et. al. // Phys. Rev. 2004. Vol. B 70. P. 132412.Sarma D. D., Mahadevan P., Ray S. et. al. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. P. 2549-2552.Sarma D. D., Mahadevan P., Ray S. et. al. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. P. 2549-2552.Klencsar Z., Nemeth Z., Vertes A. et al. // J. Magn. Mater. 2004. Vol. 281. P. 115-123.Klencsar Z., Nemeth Z., Vertes A. et al. // J. Magn. Mater. 2004. Vol. 281. P. 115-123.Ritter C., Ibarra M.R., Morellon L. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. Vol.12. P. 8295-8308.Ritter C., Ibarra M.R., Morellon L. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. Vol.12. P. 8295-8308.Cai T.-Y., Li Z.-Y. // J. Phys. Condens. Matter. 2004. Vol. 16. P. 3737-3744.Cai T.-Y., Li Z.-Y. // J. Phys. Condens. Matter. 2004. Vol. 16. P. 3737-3744.Suominen T., Raittila J., Salminen T. et al. // J. Magn. Mater. 2007. Vol. 309. P. 278-284.Suominen T., Raittila J., Salminen T. et al. // J. Magn. Mater. 2007. Vol. 309. P. 278-284.Yuan C.L., Zhu Y., Ong P.P. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. P. 4421-4425.Yuan C.L., Zhu Y., Ong P.P. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. P. 4421-4425.Poddar A., Bhowmik R.N., Muthuselvam I.P. et al. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. P. 073908-1-073908-8.Poddar A., Bhowmik R.N., Muthuselvam I.P. et al. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. P. 073908-1-073908-8.Liu J., Duan Ch. G., Yin W. G. et al. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 44106-44112.Liu J., Duan Ch. G., Yin W. G. et al. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 44106-44112.Atif M., Nadeem M. // Journ. of Alloys and Compounds. 2015. Vol. 623. P. 447-458.Atif M., Nadeem M. // Journ. of Alloys and Compounds. 2015. Vol. 623. P. 447-458.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.