bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-693Research ArticleСтатьиЗОННАЯ СТРУКТУРА НАНОШНУРОВ СИЛИЦИДА КАЛЬЦИЯ Ca2SiBANDS STRUCTURE OF NANOWIRES Ca2SiБогородьВ. О.BogorodzV. O.noemail@neicon.ruВолчёкС. А.VauchokS. A.noemail@neicon.ruМигасД. Б.MigasD. B.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20160306201905102104Copyright © Богородь В.О., Волчёк С.А., Мигас Д.Б., 20192019Богородь В.О., Волчёк С.А., Мигас Д.Б.Bogorodz V.O., Vauchok S.A., Migas D.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/693

Представлены результаты теоретического исследования зонных структур <001>-, <010>- и <100>-ориентированных наношнуров силицида кальция Ca2Si с различной морфологией. Расчет показал, что наношнуры Ca2Si <001> обладают полупроводниковыми свойствами, в то время как наношнуры Ca2Si <010> и Ca2Si <100> - металлическими из-за наличия поверхностных состояний атомов на {001} гранях в районе уровня Ферми.

Results of theoretical investigations of Ca2Si nanowires with <001>, <010>, <100> axes and different morphologies are presented. It's found that Ca2Si<001> nanowires are direct bandgap semiconductors, while Ca2Si<010> and <100> nanowires show metallic properties because surface atoms at {001} facets provide their states at the Fermi level.

силицид кальциянаношнурзонная структураcalcium silicidenanowireband structureReferencesГлазов В.М., Павлова Л.М., Поярков К.Б. // Обзоры по электронной технике. 1982. Сер. 6, Т. 9, № 917. С. 1-44.Глазов В.М., Павлова Л.М., Поярков К.Б. // Обзоры по электронной технике. 1982. Сер. 6, Т. 9, № 917. С. 1-44.Nakamura T. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, № 6. P. 1032-1034.Nakamura T. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, № 6. P. 1032-1034.Arnaud B., Alouani B. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64, № 3. P. 033202 (4).Arnaud B., Alouani B. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64, № 3. P. 033202 (4).Arnaud B., Alouani B. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62, № 7. P. 4464-4476.Arnaud B., Alouani B. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62, № 7. P. 4464-4476.Lebegue S., Arnaud B. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 085103.Lebegue S., Arnaud B. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 085103.Migas D.B. et al. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. P. 205203 (7).Migas D.B. et al. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. P. 205203 (7).Jun-ichi T., Hiroyasu K. // Intermetallics. 2007. Vol. 15. P. 1202-1207.Jun-ichi T., Hiroyasu K. // Intermetallics. 2007. Vol. 15. P. 1202-1207.Богородь В.О., Шапошников В.Л., Филонов А.Б. и др. // Докл. БГУИР. 2015. № 4 (90). C. 23-26.Богородь В.О., Шапошников В.Л., Филонов А.Б. и др. // Докл. БГУИР. 2015. № 4 (90). C. 23-26.Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, № 16. P. 11169-11186.Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, № 16. P. 11169-11186.Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 3865.Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 3865.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.