<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-687</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ВЫРAЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ AgIn5S8</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>GROWTH AND properties OF AgIn5S8 SINGLE CRYSTALS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Боднарь</surname><given-names>И. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Bodnar</surname><given-names>I. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Алрекаби</surname><given-names>Х. Т.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Alrekabe</surname><given-names>H. T.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Баругу</surname><given-names>Т. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Barugu</surname><given-names>T. G.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2016</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>5</issue><fpage>67</fpage><lpage>72</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Боднарь И.В., Алрекаби Х.Т., Баругу Т.Г., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Боднарь И.В., Алрекаби Х.Т., Баругу Т.Г.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Bodnar I.V., Alrekabe H.T., Barugu T.G.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/687">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/687</self-uri><abstract><p>Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединения AgIn5S8, определены их состав и структура. Дилатометрическим методом в интервале 80-700 К измерено относительное удлинение монокристаллов и рассчитаны коэффициенты теплового линейного расширения (aL). По полученным значениям aL проведен расчет температур Дебая (QD) и среднеквадратичных динамических смещений атомов ( ) в соединении AgIn5S8. Абсолютным методом измерена теплопроводность монокристаллов AgIn5S8 в температурном интервале 300-600 К. Установлено, что теплопроводность во всем измеренном интервале температур описывается степенной зависимостью вида Т-n , где n &lt; 1.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Single crystals of the AgIn5S8 ternary compound are grown by planar crystallization of the melt. The composition and structure of the crystals are established. The specific expansion is measured by dilatometric technique at range 80-700 K, and the coefficients of thermal expansion are calculated. From the data, the Debye temperatures (QD) and the root-mean-square dynamic displacements of atoms ( ) in AgIn5S8 compound are calculated. Thermal conductivity of AgIn5S8 single crystal has been measured in temperature interval 300-600 K by absolute method. It is found that the thermal conductivity in the entire measured temperature range is described by a power function of the form T-n, where n &lt; 1.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>монокристаллы</kwd><kwd>структура</kwd><kwd>параметр элементарной ячейки</kwd><kwd>электропроводность</kwd><kwd>тепловое расширение</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>single crystals</kwd><kwd>structure</kwd><kwd>unit cell parameter</kwd><kwd>electrical conductivity</kwd><kwd>thermal expansion</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М., 1975.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М., 1975.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Usujima A., Takeuchi S., Endo S. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1981. Vol. 20, № 7. P. 505-507.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Usujima A., Takeuchi S., Endo S. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1981. Vol. 20, № 7. P. 505-507.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боднарь И.В., Кудрицкaя Е.А., Полушина И.К. и др. // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1043-1046.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боднарь И.В., Кудрицкaя Е.А., Полушина И.К. и др. // ФТП. 1998. Т. 32, № 9. С. 1043-1046.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудьи В.Ю. и др. // ФТП. 1999. Т. 33, № 9. С. 805-809.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудьи В.Ю. и др. // ФТП. 1999. Т. 33, № 9. С. 805-809.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. Воронеж, 1989.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. Воронеж, 1989.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М., 1974.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М., 1974.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М., 1974.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М., 1974.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М., 1972.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М., 1972.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kistaiah P., Venudhar Y.C., Murthy K.S. et al. // J. Mater. Science. 1981. T. 16, № 6. С. 1713- 1716.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kistaiah P., Venudhar Y.C., Murthy K.S. et al. // J. Mater. Science. 1981. T. 16, № 6. С. 1713- 1716.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Orlova N.S., Bodnar I.V., Kudritskaya E.A. // Cryst. Res. Technol. 1998. Т. 33, № 1. С. 37-42.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Orlova N.S., Bodnar I.V., Kudritskaya E.A. // Cryst. Res. Technol. 1998. Т. 33, № 1. С. 37-42.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Францевич И.И. Вопросы порошковой металлургии и прочности материалов. Киев, 1956.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Францевич И.И. Вопросы порошковой металлургии и прочности материалов. Киев, 1956.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
