bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-677Research ArticleСтатьиСИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSbThe synthesis, electric and magnetic properties of films witH eftectic composition of GаSb-MnSb systemМаренкинС. Ф.MarenkinS. F.noemail@neicon.ruНоводворскийО. А.NovodvorskyO. A.noemail@neicon.ruБарановВ. В.BaranovV. V.noemail@neicon.ruТруханВ. М.TrukhanV. M.noemail@neicon.ruШёлковаяТ. В.ShoukavayaT. V.noemail@neicon.ruСтруцА. М.StrutsA. M.noemail@neicon.ruИнститут общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАНкBelarusФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАНBelarusБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusГО НПЦ НАН Беларуси по материаловедениюBelarus20160306201905510Copyright © Маренкин С.Ф., Новодворский О.А., Баранов В.В., Трухан В.М., Шёлковая Т.В., Струц А.М., 20192019Маренкин С.Ф., Новодворский О.А., Баранов В.В., Трухан В.М., Шёлковая Т.В., Струц А.М.Marenkin S.F., Novodvorsky O.A., Baranov V.V., Trukhan V.M., Shoukavaya T.V., Struts A.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/677

Приведены результаты технологии получения и исследования электрических, магнитных свойств пленок эвтектического состава системы GaSb-MnSb толщиной 80-130 нм, полученных импульсным лазерным осаждением с использованием механической сепарации капель на лейкосапфировых подложках.

The results of the technology and electrical and magnetic properties study of eutectic GaSb-MnSb films are presented. Eutectic GaSb-MnSb films ranging in thickness from 80 to 130 nm have been grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition using mechanical droplet separation.

пленкаэвтектика системыполупроводник-ферромагнетикантимонид галлияантимонид марганцанамагниченностьfilmeutectic systemsemiconductor-ferromagnetgallium antimonidemanganese antimonidemagnetizationReferencesBerkowitz A.E., Mitchell J.R., Carey M.J. et. al. // Physical Review Letters. 1992. Vol. 68. № 25. Р. 3745-3748.Berkowitz A.E., Mitchell J.R., Carey M.J. et. al. // Physical Review Letters. 1992. Vol. 68. № 25. Р. 3745-3748.Dietl T. // Nature Materials. 2010. V. 9. P. 965-974.Dietl T. // Nature Materials. 2010. V. 9. P. 965-974.Novotortsev V.M., Kochura A.V., Marenkin S.F. // Inor. Mate. 2010.V.46.13.P.19Novotortsev V.M., Kochura A.V., Marenkin S.F. // Inor. Mate. 2010.V.46.13.P.19Marenkin S.F., Izotov A.D., Fedorchenko I.V., Novotortsev V.M. // J. Inorg. Chem. 2015. Vol. 60, № 3. P. 295.Marenkin S.F., Izotov A.D., Fedorchenko I.V., Novotortsev V.M. // J. Inorg. Chem. 2015. Vol. 60, № 3. P. 295.Огнев А.В., Самардак А.С. // Вест. ДВО РАН. 2006. № 4. C. 70-80.Огнев А.В., Самардак А.С. // Вест. ДВО РАН. 2006. № 4. C. 70-80.Chen L., Yang X., Yang F. et. al. // Nanoletters. 2011. Vol. 11. P. 2584-2589.Chen L., Yang X., Yang F. et. al. // Nanoletters. 2011. Vol. 11. P. 2584-2589.Matsukura F., Abe E., Ohno H. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. Р. 6442-6444.Matsukura F., Abe E., Ohno H. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. Р. 6442-6444.Abe E., Matsukura F., Yasuda H., Ohno Y., Ohno H. et. al. // Physica E. 2000. Vol. 7. P. 981-985.Abe E., Matsukura F., Yasuda H., Ohno Y., Ohno H. et. al. // Physica E. 2000. Vol. 7. P. 981-985.Akinaga H., Mizuguchi M., Manago T. et. al. // Physica E. 2001. Vol. 10. P. 447-451.Akinaga H., Mizuguchi M., Manago T. et. al. // Physica E. 2001. Vol. 10. P. 447-451.Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Труханов С.В. и др. // ЖНХ. 2013. Т. 58, № 11. С. 1324-1320.Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Труханов С.В. и др. // ЖНХ. 2013. Т. 58, № 11. С. 1324-1320.Новоторцев В.М., Захаров И.С., Кочура А.В. и др. // ЖНХ. Т. 51, № 10. 2006. С.1729-1733.Новоторцев В.М., Захаров И.С., Кочура А.В. и др. // ЖНХ. Т. 51, № 10. 2006. С.1729-1733.Kochura A.V., Aronzon B.A., Lisunov K.G. et. al. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 083905.Kochura A.V., Aronzon B.A., Lisunov K.G. et. al. // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 083905.Aronzon B.A., Pankov M.A., Rylkov V.V. et. al. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. P. 023905.Aronzon B.A., Pankov M.A., Rylkov V.V. et. al. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. P. 023905.Nie S.H., Chin Y.Y, Liu W.Q. et. al. // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 111. P. 027203.Nie S.H., Chin Y.Y, Liu W.Q. et. al. // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 111. P. 027203.Панченко В.Я., Новодворский О.А., Голубев В.С. // Наука и технологии в промышленности. 2006. № 4. С. 39-51.Панченко В.Я., Новодворский О.А., Голубев В.С. // Наука и технологии в промышленности. 2006. № 4. С. 39-51.Pulsed Laser Deposition of thin Films: Applications-LED Growth of Functional Materials / Ed. R. Eason. New Jersey, 2007.Pulsed Laser Deposition of thin Films: Applications-LED Growth of Functional Materials / Ed. R. Eason. New Jersey, 2007.Новодворский О.А., Лотин А.А., Хайдуков Е.В. Устройство для лазерно-плазменного напыления. Патент РФ № 89906.Новодворский О.А., Лотин А.А., Хайдуков Е.В. Устройство для лазерно-плазменного напыления. Патент РФ № 89906.Петухов И.А., Шатохин А.Н., Путилин Ф.Н. и др. // Неорган. материалы. 2012. Т. 48. № 10. С. 1047-1053.Петухов И.А., Шатохин А.Н., Путилин Ф.Н. и др. // Неорган. материалы. 2012. Т. 48. № 10. С. 1047-1053.Петухов И.А., Паршина Л.С., Зуев Д.А. и др. // Неорган. материалы. 2013. Т. 49, № 11. С. 1211-1215.Петухов И.А., Паршина Л.С., Зуев Д.А. и др. // Неорган. материалы. 2013. Т. 49, № 11. С. 1211-1215.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.