bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-665Research ArticleСтатьиФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА КОМБИНИРОВАННЫМ МЕТОДОМ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО И ПОСЛОЙНОГО АТОМНОГО ОСАЖДЕНИЯFormation OF ZINC OXIDE THIN FILMS BY COMBINED METHOD OF HYDROTHERMAL AND LAYERED ATOM DEPOSITIONЧубенкоЕ. Б.ChubenkoE. B.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruПилипенкоВ. А.PilipenkoV. A.noemail@neicon.ruТопаллиК. ..TopalliK. ..noemail@neicon.ruОкяйА. К.OkyayA. K.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusНПЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл»BelarusDepartment of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent UniversityBelarus201603062019042834Copyright © Чубенко Е.Б., Бондаренко В.П., Пилипенко В.А., Топалли К..., Окяй А.К., 20192019Чубенко Е.Б., Бондаренко В.П., Пилипенко В.А., Топалли К..., Окяй А.К.Chubenko E.B., Bondarenko V.P., Pilipenko V.A., Topalli K..., Okyay A.K.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/665

Исследованы свойства и показана возможность получения тонких сплошных пленок оксида цинка химическим гидротермальным методом на поверхности подложек монокристаллического кремния с затравочным слоем оксида цинка, сформированным методом послойного атомного осаждения. Полученные гибридные структуры из оксида цинка состоят из вертикально ориентированных кристаллитов оксида цинка, образующих компактную сплошную пленку. Проведены измерения оптических и электрических свойств полученных пленок. Показано, что пленки оксида цинка демонстрируют фотолюминесценцию в видимом диапазоне электромагнитного спектра с максимумом на длине волны 600-700 нм, связанную с наличием структурных дефектов, и в ближнем УФ-диапазоне с максимумом около 380 нм, связанную с излучательной межзонной рекомбинацией. Удельное сопротивление полученных пленок составляет 0,7 Ом·см.

Properties and deposition of continuous thin zinc oxide films by chemical on the monocrystalline silicon substrates with zinc oxide seed layer formed by atomic layer deposition are studied. Obtained hybrid zinc oxide structures consist of vertically oriented crystallites packed in uniform continuous film. Optical and electrical properties of the films are measured. It is shown, that deposited zinc oxide films demonstrate photoluminescence in the visible range of electromagnetic spectra with maximum at 600-700 nm. Luminescence band in the near UV region at 380 nm, associated with band-to-band radiative recombination, is also measured. The resistivity of the obtained zinc oxide films is about 0.7 Ohm·cm.

оксид цинкагидротермальное осаждениепослойное атомное осаждениефотолюминесценциярентгеновская дифрактометрияzinc oxidehydrothermal depositionatomic layer depositionphotoluminescenceX-ray diffractionReferencesÖzgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C. et al. // Appl. Phys. Rev. 2005. Vol. 98. P. 1-103.Özgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C. et al. // Appl. Phys. Rev. 2005. Vol. 98. P. 1-103.Norton D.P., Heo Y.W., Ivill M.P. et al. // Mater. Today. 2004. Vol. 7. P. 34-40.Norton D.P., Heo Y.W., Ivill M.P. et al. // Mater. Today. 2004. Vol. 7. P. 34-40.Ohta H., Hosono H. // Mater. Today. 2004. Vol. 7. P. 42-51.Ohta H., Hosono H. // Mater. Today. 2004. Vol. 7. P. 42-51.Wang Z.L. // Materials Today. 2004. Vol. 7. P. 26-33.Wang Z.L. // Materials Today. 2004. Vol. 7. P. 26-33.Lee K.M., Lai C.W., Ngai K.S. et al. // Water Res. Vol. 88. P. 428-448.Lee K.M., Lai C.W., Ngai K.S. et al. // Water Res. Vol. 88. P. 428-448.Lincot D. // Thin Solid Films. 2005. Vol. 487. P. 40-48.Lincot D. // Thin Solid Films. 2005. Vol. 487. P. 40-48.Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. P. 013001.Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. P. 013001.Чубенко Е.Б., Редько С.В., Петрович В.А. и др. // Докл. БГУИР. 2016. № 2 (96). С. 18-24.Чубенко Е.Б., Редько С.В., Петрович В.А. и др. // Докл. БГУИР. 2016. № 2 (96). С. 18-24.Singh R.G., Singh F., Agarval V. et al. // Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 3090-3093.Singh R.G., Singh F., Agarval V. et al. // Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 3090-3093.Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 093718.Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 093718.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.