bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-643Research ArticleСтатьиПЕРСПЕКТИВНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ И НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ, ФОТОВОЛЬТАИКИ И СПИНТРОНИКИPROSPECTIVE SEMICONDUCTING COMPOUNDS AND NANOSTRUCTURES FOR OPTOELECTRONICS, PHOTOVOLTAICS AND SPINTRONICSКривошееваА. В.KrivosheevaA. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019031217Copyright © Кривошеева А.В., 20192019Кривошеева А.В.Krivosheeva A.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/643

Приведены результаты расчетов и системного анализа свойств полупроводниковых соединений, представляющих интерес для изготовления новых наноэлектронных приборных структур. Рассмотрены классы полупроводниковых соединений AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI и AVIBVI2, на основании анализа их характеристик выбраны наиболее перспективные и сделаны выводы о возможности их использования в оптоэлектронике, фотовольтаике и спинтронике.

The results of calculations and system analysis of the properties of semiconducting compounds attractive for the fabrication of novel nanoelectronic devices are presented. The classes of semiconducting compounds of AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI and AVIBVI are considered, the most promising compounds are chosen on the base of the analysis of their properties and recommendations about possibility of their use in optoelectronics, photovoltaics and spintronics are made.

электронный переходспиновая поляризацияоптическая функцияоптоэлектроникаспинтроникасолнечные элементыelectronic transitionthe spin polarization of the optical functionoptoelectronicsspintronicssolar elementsReferencesGeim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6, P. 183-191.Geim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6, P. 183-191.Немошкаленко В.В., Антонов В.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов. Киев, 1985.Немошкаленко В.В., Антонов В.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов. Киев, 1985.Petersen M., Wagner F., Hufnagel L. // Comp. Phys. Commun. 2000. Vol. 126, № 3. P. 294-309.Petersen M., Wagner F., Hufnagel L. // Comp. Phys. Commun. 2000. Vol. 126, № 3. P. 294-309.Kresse G., Furthmüller J. // Comput. Mater. Sci. 1996. Vol. 6. P. 15; Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.Kresse G., Furthmüller J. // Comput. Mater. Sci. 1996. Vol. 6. P. 15; Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.Blaha P., Schwarz K., Madsen G. K. H. et al., WIEN2k, An Augmented Plane Wave + Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties (Karlheinz Schwarz, Techn. Universitat Wien, Austria), 2001. ISBN 3-9501031-1-2.Blaha P., Schwarz K., Madsen G. K. H. et al., WIEN2k, An Augmented Plane Wave + Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties (Karlheinz Schwarz, Techn. Universitat Wien, Austria), 2001. ISBN 3-9501031-1-2.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Global Journal of Physical Chemistry. 2011. Vol. 2. № 2. P. 201-205.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Global Journal of Physical Chemistry. 2011. Vol. 2. № 2. P. 201-205.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Borisenko V.E. et al. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. P. 205201.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Borisenko V.E. et al. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. P. 205201.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., D’Avitaya F.A. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. Vol. 245, № 1. P. 142-148.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., D’Avitaya F.A. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. Vol. 245, № 1. P. 142-148.Ivanenko L.I., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B. et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 461. P. 141-147.Ivanenko L.I., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B. et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 461. P. 141-147.Филонов А.Б., Иваненко Л.И., Мигас Д.Б. и др. // Докл. БГУИР. 2004. Т. 3, № 7. C. 168-179.Филонов А.Б., Иваненко Л.И., Мигас Д.Б. и др. // Докл. БГУИР. 2004. Т. 3, № 7. C. 168-179.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Ivanenko L.I. et al. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2004. Vol. 16. P. 303-312.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Ivanenko L.I. et al. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2004. Vol. 16. P. 303-312.Shaposhnikov V.L., Filonov A.B., Krivosheeva A.V. et al. // Phys. Stat. Sol. 2005. Vol. 242, № 14. P. 2864-2871.Shaposhnikov V.L., Filonov A.B., Krivosheeva A.V. et al. // Phys. Stat. Sol. 2005. Vol. 242, № 14. P. 2864-2871.Кривошеева А.В., Холод А.Н., Шапошников В.Л. и др. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 5. C. 528-532.Кривошеева А.В., Холод А.Н., Шапошников В.Л. и др. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36, № 5. C. 528-532.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Krivosheev A.E. et al. // Microelectronic Engineering. 2002. Vol. 64, № 1. P. 219-223.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Krivosheev A.E. et al. // Microelectronic Engineering. 2002. Vol. 64, № 1. P. 219-223.Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Кривошеев A.E. и др. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 4. С. 402-407.Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Кривошеев A.E. и др. // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 4. С. 402-407.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. // Materials Science and Engineering B 101. 2003. P. 309-312.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. // Materials Science and Engineering B 101. 2003. P. 309-312.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Lyskouski V.V. et al. // Microelectronics and Reliability. 2006. Vol. 46, №№ 9-11. P. 1747-1749.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Lyskouski V.V. et al. // Microelectronics and Reliability. 2006. Vol. 46, №№ 9-11. P. 1747-1749.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., D’Avitaya F.A. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. Vol. 21. P. 045507.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., D’Avitaya F.A. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. Vol. 21. P. 045507.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Physica Status Solidi (b). 2014. № 251 (5). P. 1007-1019.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Physica Status Solidi (b). 2014. № 251 (5). P. 1007-1019.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V, Borisenko V.E. et al. // ScienceJet. 2012. № 1. Р. 16.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V, Borisenko V.E. et al. // ScienceJet. 2012. № 1. Р. 16.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V, Borisenko V.E. et al. // ScienceJet. 2012. № 1. Р. 15.Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V, Borisenko V.E. et al. // ScienceJet. 2012. № 1. Р. 15.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // AJP Fizika. 2010. Vol. XVI. P. 33-36.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // AJP Fizika. 2010. Vol. XVI. P. 33-36.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Докл. БГУИР. 2014. № 5 (83). С. 34-37.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Докл. БГУИР. 2014. № 5 (83). С. 34-37.A.V. Krivosheeva, Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin (World Scientific, Singapore, 2015). P. 161-168.A.V. Krivosheeva, Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin (World Scientific, Singapore, 2015). P. 161-168.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.