bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-624Research ArticleСтатьиФОРМИРОВАНИЕ МАССИВОВ НАНОСТРУКТУР ИЗ ЛЕГИРОВАННОГО И НЕЛЕГИРОВАННОГО ОКСИДА ЦИНКА МЕТОДАМИ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫFormation OF doped and undoped Zno nanostructure ARRAYS by liquid phase deposition techniquesЧубенкоЕ. Б.ChubenkoE. B.noemail@neicon.ruРедькоС. В.RedkoS. V.noemail@neicon.ruПетровичВ. А.PetrovichV. A.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019021824Copyright © Чубенко Е.Б., Редько С.В., Петрович В.А., Бондаренко В.П., 20192019Чубенко Е.Б., Редько С.В., Петрович В.А., Бондаренко В.П.Chubenko E.B., Redko S.V., Petrovich V.A., Bondarenko V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/624

Проведены исследования процессов формирования массивов легированных и нелегированных наноструктур из оксида цинка методами электрохимического и химического осаждения из жидкой фазы. Определены параметры процесса электрохимического осаждения, при которых происходит формирование массивов наноструктур оксида цинка, легированного эрбием. Изучено влияние параметров процесса химического гидротермального осаждения на структурные свойства массивов нанокристаллов нелегированного оксида цинка. Получены массивы наноструктур легированного и нелегированного оксида цинка, сформированных гидротермальным и электрохимическим методами, которые могут быть использованы в качестве функциональных слоев в фотовольтаических и оптоэлектронных приборах.

The results of study of electrochemical and hydrothermal deposition of doped and undoped zinc oxide nanostructure arrays in liquid phase are presented in the article. The values of parameters of electrochemical deposition process at which formation of erbium doped zinc oxide nanostructures arrays occurs are determined. The influence of parameters of hydrothermal deposition process on structural properties of undoped zinc oxide is investigated. Obtained arrays of doped and undoped zinc oxide nanostructures deposited by hydrothermal and electrochemical methods can be used in photovoltaic and optoelectronic applications.

нанокристаллические структурыоксид цинкагидротермальное осаждениеэлектрохимическое осаждениелегированиеnanocrystal structureszinc oxidehydrothermal depositionelectrochemical depositiondopingReferencesWide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices / Eds. K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu. New York, 2007.Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices / Eds. K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu. New York, 2007.Özgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C., and et al. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. 041301.Özgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C., and et al. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. 041301.Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. 013001.Baruah S., Dutta J. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. 013001.Lincot D. // Thin Solid Films. 2005. Vol. 487. P. 40-48.Lincot D. // Thin Solid Films. 2005. Vol. 487. P. 40-48.Ohta H., Hosono H. // Mater. Today. 2004. Vol. 7, P. 42-51.Ohta H., Hosono H. // Mater. Today. 2004. Vol. 7, P. 42-51.Liu B., Qiu S., Hu R., and et al. // Appl. Surf. Sci. 2012. Vol. 259, P. 705-710.Liu B., Qiu S., Hu R., and et al. // Appl. Surf. Sci. 2012. Vol. 259, P. 705-710.Ivanova S., Pellé F. // J. Opt. Soc. Am. B. 2009. Vol. 26. P. 1930-1938.Ivanova S., Pellé F. // J. Opt. Soc. Am. B. 2009. Vol. 26. P. 1930-1938.Trupke T., Shalav A., Richards B.S., and et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2006. Vol. 90, P. 3327-3338.Trupke T., Shalav A., Richards B.S., and et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2006. Vol. 90, P. 3327-3338.Cembrero J., Busquets-Mataix D. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 2859-2864.Cembrero J., Busquets-Mataix D. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 2859-2864.Ashfold M.N.R., Doherty R.P., Ndifor-Angwafor N.G., and et al. // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. P. 8679-8683.Ashfold M.N.R., Doherty R.P., Ndifor-Angwafor N.G., and et al. // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. P. 8679-8683.Baruah S., Dutta J. // J. Cryst. Growth. 2009. Vol. 311. P. 2549-2554.Baruah S., Dutta J. // J. Cryst. Growth. 2009. Vol. 311. P. 2549-2554.Song J., Baek S., Lim S. // Physica B. 2008. Vol. 403. P. 1960-1963.Song J., Baek S., Lim S. // Physica B. 2008. Vol. 403. P. 1960-1963.Chubenko E.B., Klyshko A.A., Bondarenko V.P., and et al. // Electrochim. Acta. 2011. Vol. 56. P. 4031-4036.Chubenko E.B., Klyshko A.A., Bondarenko V.P., and et al. // Electrochim. Acta. 2011. Vol. 56. P. 4031-4036.Liu C., Masuda Y., Wu Y., and et al. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 503. P. 110-114.Liu C., Masuda Y., Wu Y., and et al. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 503. P. 110-114.Yoshida T., Komatsu D., Shimokawa N., and et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 451-452. P. 166-169.Yoshida T., Komatsu D., Shimokawa N., and et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 451-452. P. 166-169.Справочник по электрохимии / Под ред. А.М. Сухотина. Ленинград, 1981.Справочник по электрохимии / Под ред. А.М. Сухотина. Ленинград, 1981.Goux A., Pauporte T., Lincot D. // J. Electroanal. Chem. 2006, Vol. 587. P. 193-202.Goux A., Pauporte T., Lincot D. // J. Electroanal. Chem. 2006, Vol. 587. P. 193-202.Wellings J.S., Chaure N.B., Heavens S.N., and et al. // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516. P. 3893-3898.Wellings J.S., Chaure N.B., Heavens S.N., and et al. // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516. P. 3893-3898.Musić S., Popović S., Maljković M., et al. // J. Alloys Compd. 2002. Vol. 347. P. 324-332.Musić S., Popović S., Maljković M., et al. // J. Alloys Compd. 2002. Vol. 347. P. 324-332.Wang B.G., Shi E.W., Zhong W.Z. // Cryst. Res. Technol. 1998. Vol. 33. P. 937-941.Wang B.G., Shi E.W., Zhong W.Z. // Cryst. Res. Technol. 1998. Vol. 33. P. 937-941.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.