bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-617Research ArticleСтатьиФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМFormation OF NANOCOMPOSITE MATERIALS BASED ON POROUS SILICON AND ZINC OXIDE BY ELECTROCHEMICAL TECHNIQUEШерстнёвА. И.SherstnyovA. I.noemail@neicon.ruЧубенкоЕ. Б.ChubenkoE. B.noemail@neicon.ruРедькоС. В.RedkoS. V.noemail@neicon.ruПетровичВ. А.PetrovichV. A.noemail@neicon.ruПилипенкоВ. А.PilipenkoV. A.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusНПЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл»Belarus201603062019018288Copyright © Шерстнёв А.И., Чубенко Е.Б., Редько С.В., Петрович В.А., Пилипенко В.А., Бондаренко В.П., 20192019Шерстнёв А.И., Чубенко Е.Б., Редько С.В., Петрович В.А., Пилипенко В.А., Бондаренко В.П.Sherstnyov A.I., Chubenko E.B., Redko S.V., Petrovich V.A., Pilipenko V.A., Bondarenko V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/617

Приведены результаты исследований процесса электрохимического осаждения оксида цинка в упорядоченные матрицы пористого кремния, сформированные в импульсном гальваностатическом режиме. Установлены закономерности роста нанокристаллов оксида цинка в зависимости от параметров электрохимического осаждения: плотности катодного тока, состава электролита, продолжительности процесса. Исследованы структурные и оптические свойства полученных нанокомпозитов пористый кремний/оксид цинка.

The results of electrochemical deposition of zinc oxide into ordered porous silicon matrix, formed in a pulsed galvanostatic mode, are presented. Correlations between zinc oxide nanocrystals growth and electrochemical deposition parameters, such as cathode current density, electrolyte composition, process duration were determined. Structural and optical properties of porous silicon/zinc oxide nanocomposites were studied.

пористый кремнийоксид цинкананокомпозитный материалэлектрохимическое осаждениефотолюминесценцияporous siliconzinc oxidenanocomposite materialelectrochemical depositionphotoluminescenceReferencesÖzgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C. et al. // Appl. Phys. Rev. 2005. Vol. 98. P. 1-103.Özgür Ü., Alivov Ya.I., Liu C. et al. // Appl. Phys. Rev. 2005. Vol. 98. P. 1-103.Wang Z.L. // Materials Today. 2004. Vol. 7. P. 26-33.Wang Z.L. // Materials Today. 2004. Vol. 7. P. 26-33.Qiao Q., Li B.H., Shan C.X. et el. // Mater. Lett. 2012. Vol. 74. P. 104-106.Qiao Q., Li B.H., Shan C.X. et el. // Mater. Lett. 2012. Vol. 74. P. 104-106.Law J.B., Thong J.T. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 1-4.Law J.B., Thong J.T. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 1-4.Singh R.G., Singh F., Agarval V. et al. // Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 3090-3093.Singh R.G., Singh F., Agarval V. et al. // Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 3090-3093.Yan D., Hu M., Li Sh. Et al. // Electrochim. Acta. 2014. Vol. 115. P. 297-305.Yan D., Hu M., Li Sh. Et al. // Electrochim. Acta. 2014. Vol. 115. P. 297-305.Hamilton B. // Semicond. Sci. Technol. 1995. Vol. 10. P. 1187-1207.Hamilton B. // Semicond. Sci. Technol. 1995. Vol. 10. P. 1187-1207.Balucani M., Nenzi P., Chubenko E. et al. // Nanopart. Res. 2011. Vol. 13. P. 5985-5997.Balucani M., Nenzi P., Chubenko E. et al. // Nanopart. Res. 2011. Vol. 13. P. 5985-5997.Чубенко Е.Б., Редько С.В., Шерстнев А.И. и др. // Докл. БГУИР. 2015. № 3 (89). С. 11-17.Чубенко Е.Б., Редько С.В., Шерстнев А.И. и др. // Докл. БГУИР. 2015. № 3 (89). С. 11-17.Yoshida T., Komatsu D., Shimokawa N. et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 451-452. P. 166-169.Yoshida T., Komatsu D., Shimokawa N. et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 451-452. P. 166-169.Gomez H., Riveros G., Ramirez D. et al. // Solid State Electrochem. 2012. Vol. 16. P. 197-204.Gomez H., Riveros G., Ramirez D. et al. // Solid State Electrochem. 2012. Vol. 16. P. 197-204.Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 093718.Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 093718.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.