bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-601Research ArticleСтатьиМОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОМЕРНОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯMODELLING OF AVERAGE DRIFT SPEED OF ELECTRONS IN ONE-DIMENSIONAL STRUCTURE FROM GALLIUM ARSENIDEМищенкоВ. Н.MishchenkaV. N.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus2015030620190899102Copyright © Мищенко В.Н., 20192019Мищенко В.Н.Mishchenka V.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/601

Приведены результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло. Выработаны рекомендации по выбору величин временного шага и длины пространственной ячейки, которые определяют процедуру численного моделирования.

Modeling results of average drift speed of electrons are given in one-dimensional structure from gallium arsenide. Recommendations about a choice of sizes of a temporary step and length of a spatial cell which define procedure of numerical modeling are developed.

средняя дрейфовая скорость электроноварсенид галлияметод Монте-КарлоReferencesХокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.,1987.Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.,1987.Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991.Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991.Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.Littlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson T.H. // Journal of Applied Physics. 1977. Vol. 48, № 11. P. 4587-4590.Littlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson T.H. // Journal of Applied Physics. 1977. Vol. 48, № 11. P. 4587-4590.Braslau N., Hauge P.S. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. V. ED-17. № 8. P. 616-622.Braslau N., Hauge P.S. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. V. ED-17. № 8. P. 616-622.Masselink W.T., Kuech T.F. // Journal of Electronic Materials. 1989. Vol. 18, № 5. P. 579-584.Masselink W.T., Kuech T.F. // Journal of Electronic Materials. 1989. Vol. 18, № 5. P. 579-584.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.