bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-59Research ArticleСтатьиЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА АЛЮМИНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПЛАНАРНЫХ МИКРОСТРУКТУРАХ НАНОФОТОНИКИLUMINESCENCE OF ALUMINUM OXIDE FILMS AND PERSPECTIVES OF THEIR APPLICATION IN NANOPHOTONICS PLANAR MICROSTRUCTURESХорошкоЛ. С.KhoroshkoL. S.noemail@neicon.ruОреховскаяТ. И.OrekhovskayaT. I.noemail@neicon.ruМелединаМ. В.MeledinaM. V.noemail@neicon.ruНиколаенкоИ. А.NikolaenkoI. A.noemail@neicon.ruКочевА. C.KochevA. S.noemail@neicon.ruАшарифА. М.AsharifA. M.noemail@neicon.ruКолосницынБ. С.KolosnitsynB. S.noemail@neicon.ruГапоненкоН. В.GaponenkoN. V.noemail@neicon.ruМудрыйА. В.MudryA. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusИнститут физики твердого тела и полупроводников НАН БеларусиBelarus201203062019051620Copyright © Хорошко Л.С., Ореховская Т.И., Меледина М.В., Николаенко И.А., Кочев А.C., Ашариф А.М., Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В., Мудрый А.В., 20192019Хорошко Л.С., Ореховская Т.И., Меледина М.В., Николаенко И.А., Кочев А.C., Ашариф А.М., Колосницын Б.С., Гапоненко Н.В., Мудрый А.В.Khoroshko L.S., Orekhovskaya T.I., Meledina M.V., Nikolaenko I.A., Kochev A.S., Asharif A.M., Kolosnitsyn B.S., Gaponenko N.V., Mudry A.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/59

Анализируются различные методы формирования люминесцентных пленочных структур на основе анодного оксида алюминия. Изготовление люминесцентных структур анодированием алюминия в щавелевой кислоте позволяет получить видимую невооруженным глазом фотолюминесценцию в синем диапазоне, которая сохраняется при хранении образцов в комнатных условиях в течение года и более. Ксерогель оксида алюминия, приготовленный в виде порошка, также демонстрирует люминесценцию в синем диапазоне, которая исчезает полностью после отжига порошка при температуре 800 ºС. Исследована фотолюминесценция пористого анодного оксида алюминия, содержащего тербий, осажденный из растворов солей или в составе ксерогеля оксида алюминия, сформированного в порах анодного оксида алюминия. Обсуждаются перспективы формирования планарных микроструктур с использованием пористого анодного оксида алюминия, поддерживающих электромагнитные моды шепчущей галереи.

Various methods of fabrication the luminescent film structures based on porous anodic alumina are analyzed. Manufacturing of luminescent structures by anodizing aluminum in oxalic acid allows observation of visible to the naked eye photoluminescence in the blue range, which remains under ambient conditions for a year or longer. Alumina xerogel prepared in a form of powder demonstrates luminescence in the blue range, which disappears totally after annealing at 800 ºC. Photoluminescence of porous anodic alumina which contains terbium ions in the xerogel of alumina or deposited from solutions of salts formed in the anodic alumina pores has been investigated. The perspectives of formation of planar microstructures using a porous anodic alumina supporting electromagnetic whispering gallery modes are discussed.

люминесценцияпористый анодный оксид алюминиязоль-гель синтезфотолитографияReferencesCai M., Painter O., Vahala K.J. // Optics letters. 2000. Vol. 25, №19. P. 1430-1432.Cai M., Painter O., Vahala K.J. // Optics letters. 2000. Vol. 25, №19. P. 1430-1432.Vahala K.J // Nature. 2003. Vol. 424. P. 839-846.Vahala K.J // Nature. 2003. Vol. 424. P. 839-846.Gaponenko S. V. // Introduction to Nanophotonics. Cambridge University Press. 2010. P. 484.Gaponenko S. V. // Introduction to Nanophotonics. Cambridge University Press. 2010. P. 484.Polman A., Min B., Kalkman J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, №7. P. 1037-1039.Polman A., Min B., Kalkman J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, №7. P. 1037-1039.Yang L., Armani D.K // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, №5. P. 825.Yang L., Armani D.K // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, №5. P. 825.Knight J. C., Dubreuil N., Sandoghdar V. et al. // Optics Letters. 1996. Vol. 21, №10. P. 698-700.Knight J. C., Dubreuil N., Sandoghdar V. et al. // Optics Letters. 1996. Vol. 21, №10. P. 698-700.Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Мн., 2003.Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Мн., 2003.Позняк А.А. Модифицированный анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Мн., 2007.Позняк А.А. Модифицированный анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Мн., 2007.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Мн., 2011.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Мн., 2011.Wu J.H, Wu X.L., Tang N. et al. // Appl. Phys. А. 2001. Vol. 72. P. 735-737.Wu J.H, Wu X.L., Tang N. et al. // Appl. Phys. А. 2001. Vol. 72. P. 735-737.Du Y., Cai W.L., Mo C.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74, №20. P. 2951-2953.Du Y., Cai W.L., Mo C.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74, №20. P. 2951-2953.Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2004. Т. 46, №12. С. 2143-2147.Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2004. Т. 46, №12. С. 2143-2147.Кортов В.С. , Мильман И.И. , Никифоров С.В. // Физика твердого тела. 1997. Т. 39, №9. С. 1538-1543.Кортов В.С. , Мильман И.И. , Никифоров С.В. // Физика твердого тела. 1997. Т. 39, №9. С. 1538-1543.Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2003. Т. 45, № 7. С. 1202-1208.Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2003. Т. 45, № 7. С. 1202-1208.Gaponenko N.V., Kortov V.S., Smirnova N.P. et al. // Microelectronic Engineering. 2012. Vol. 90. P. 131-137.Gaponenko N.V., Kortov V.S., Smirnova N.P. et al. // Microelectronic Engineering. 2012. Vol. 90. P. 131-137.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.