bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-524Research ArticleСтатьиВЫРАЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ Cu2ZnSnS4GROWTH AND PROPERTIES OF Cu2ZnSnS4 SINGLE CRYSTALSБоднарьИ. В.BodnarI. V.noemail@neicon.ruВикторовИ. А.VictorovI. A.noemail@neicon.ruВолковаЛ. В.VolkovaL. V.noemail@neicon.ruПавлюковецС. А.PauliukavetsS. A.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201503062019051924Copyright © Боднарь И.В., Викторов И.А., Волкова Л.В., Павлюковец С.А., 20192019Боднарь И.В., Викторов И.А., Волкова Л.В., Павлюковец С.А.Bodnar I.V., Victorov I.A., Volkova L.V., Pauliukavets S.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/524

Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnSnS4. Определены состав, структура и температура плавления полученных кристаллов. Исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20-300 К. Определена ширина запрещенной зоны указанных кристаллов и построены ее температурные зависимости.

Polycrystalline ingots bridgman grown and by chemical method reactions of gas-transport connections Cu2ZnSnS4 single crystals of different forms: needle-like, plate and prismatic are received. The composition, structure of the grown single crystals was determined and unit cell parameters were calculated. The melt temperature was determined using DTA method. Transmission spectra in the region of intrinsic absorption edge were studied in temperature interval 20-300 K. The band gap width of Cu2ZnSnS4 single crystals was determined, its temperature dependency has been built and the calculation of the indicated dependency has been carried out. It was shown, that the experimental and calculated values are in good correlations.

монокристаллыструктуратемпература плавленияширина запрещенной зоныReferencesTodorov T.K., Tang J., Bag S.et al. // Adv. Energ. Mater. 2013. Vol. 3(1). P. 34-38.Todorov T.K., Tang J., Bag S.et al. // Adv. Energ. Mater. 2013. Vol. 3(1). P. 34-38.Brammertz G., Buffiere M., Oueslati S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103 (16). 163904.Brammertz G., Buffiere M., Oueslati S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103 (16). 163904.Repins I., Beall C., Vora N. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2012. Vol. 101 P. 154-159.Repins I., Beall C., Vora N. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2012. Vol. 101 P. 154-159.Ozaki S., Namba T. // Phys. Status Solidi (c). 2012. Vol. 9 (12) P. 2403-2406.Ozaki S., Namba T. // Phys. Status Solidi (c). 2012. Vol. 9 (12) P. 2403-2406.He J., Sun L., Chen Sh. et al. // J. Alloys Compounds. 2012. Vol. 511 (1) P. 129-132.He J., Sun L., Chen Sh. et al. // J. Alloys Compounds. 2012. Vol. 511 (1) P. 129-132.Gao F., Yamazoe S., Maeda T. et al. //Jap. J. Appl. Phys. 2012. Vol. 51. P. 28.Gao F., Yamazoe S., Maeda T. et al. //Jap. J. Appl. Phys. 2012. Vol. 51. P. 28.Salome P.M.P., Malaquias J., Fernandes P.A. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2012. Vol. 101. P. 147-153.Salome P.M.P., Malaquias J., Fernandes P.A. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2012. Vol. 101. P. 147-153.Matsushita H., Ichikawa T., Katsui A. // J. Mater. Scien. 2005. Vol. 40 (8). P. 2003-2005.Matsushita H., Ichikawa T., Katsui A. // J. Mater. Scien. 2005. Vol. 40 (8). P. 2003-2005.Guen L., Glaunsinger W.S. // J. Sol. Stat. Chem. 1980. Vol. 35 (1). P. 10-21.Guen L., Glaunsinger W.S. // J. Sol. Stat. Chem. 1980. Vol. 35 (1). P. 10-21.Nitsche R., Sargent D.F., Wild P. // J. Cryst. Growth. 1967. Vol. 1 (1). P. 52-53.Nitsche R., Sargent D.F., Wild P. // J. Cryst. Growth. 1967. Vol. 1 (1). P. 52-53.Colombara D., Delsante S., Borzone G. et al. // J. Cryst. Growth. 2013. Vol. 364. P. 101-110.Colombara D., Delsante S., Borzone G. et al. // J. Cryst. Growth. 2013. Vol. 364. P. 101-110.Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., 1977.Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., 1977.Боднарь И.В., Павлюковец С.А. // ФТП. 2011. Vol. 45 (11). P. 1450-1453.Боднарь И.В., Павлюковец С.А. // ФТП. 2011. Vol. 45 (11). P. 1450-1453.Боднарь И.В., Павлюковец С.А., Данильчик А.В. и др. // ЖПС. 2011. Vol. 78 (5). P. 809-812.Боднарь И.В., Павлюковец С.А., Данильчик А.В. и др. // ЖПС. 2011. Vol. 78 (5). P. 809-812.Levchenko S., Dumcenco D., Wang Y.P. et. al. // Optical Mater. 2012. Vol. 34. (8). P. 1362-1365.Levchenko S., Dumcenco D., Wang Y.P. et. al. // Optical Mater. 2012. Vol. 34. (8). P. 1362-1365.Pässler R. // Phys. Stat. Sol.(b). 1997. Vol. 200 (1). P. 155-172.Pässler R. // Phys. Stat. Sol.(b). 1997. Vol. 200 (1). P. 155-172.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.