bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-506Research ArticleСтатьиЗОННАЯ СТРУКТУРА 3D И 2D РАЗМЕРНОГО Ca2SiBANDS STRUCTURE OF 3D and 2D Ca2SiБогородьВ. О.BogorodzV. O.noemail@neicon.ruШапошниковВ. Л.ShaposhnikovV. L.noemail@neicon.ruФилоновА. Б.FilonovA. B.noemail@neicon.ruКолосницынБ. С.KolosnicinB. S.noemail@neicon.ruМигасД. Б.MigasD. B.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201503062019042326Copyright © Богородь В.О., Шапошников В.Л., Филонов А.Б., Колосницын Б.С., Мигас Д.Б., 20192019Богородь В.О., Шапошников В.Л., Филонов А.Б., Колосницын Б.С., Мигас Д.Б.Bogorodz V.O., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B., Kolosnicin B.S., Migas D.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/506

Представлены результаты теоретического исследования зонных структур объемного Ca2Si и тонких пленок на его основе с поверхностями (001), (010), (100). Установлено, что объемный Ca2Si и тонкие пленки Ca2Si(010) и (100) являются прямозонными полупроводниками, а поверхностные состояния приводят к металлическим свойствам тонких пленок Ca2Si(001).

The results of theoretical research of band structures of Ca2Si bulk and Ca2Si thin films with surfaces (001), (010), (100) are presented. It`s found that Ca2Si bulk and thin film Ca2Si(010) and (100) are direct bandgap semiconductors while Ca2Si(001) thin films show the metallic properties because of surface`s states.

тонкие пленкисилицид кальциязонная структураReferencesMaex K., Van Rossum M. // Properties of metal silicides. 1995. P. 335.Maex K., Van Rossum M. // Properties of metal silicides. 1995. P. 335.Borisenko V.E. // Semiconducting silicides. 2000. P 348.Borisenko V.E. // Semiconducting silicides. 2000. P 348.Heinrich A. // Semiconducting silicides - thermoelectric properties and applications. 2000. P. 126-137.Heinrich A. // Semiconducting silicides - thermoelectric properties and applications. 2000. P. 126-137.Leong D.N. // Nature. 1997. Vol. 387, № 6634. P. 686-688.Leong D.N. // Nature. 1997. Vol. 387, № 6634. P. 686-688.Eckerlin P., Wolfel E. // Anorg. Chem. 1955. Vol. 280, № 5-6. P. 321-331.Eckerlin P., Wolfel E. // Anorg. Chem. 1955. Vol. 280, № 5-6. P. 321-331.Ganguli A.K., Guloy A. M., Corbett J. D. // Solid State Chem. 2000. Vol. 152. P. 474.Ganguli A.K., Guloy A. M., Corbett J. D. // Solid State Chem. 2000. Vol. 152. P. 474.Lebegue S., Arnaud B., Alouani M. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 085103.Lebegue S., Arnaud B., Alouani M. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 085103.Dotsenko S.A. // Physics Procedia. 2011. Vol. 11. P. 95.Dotsenko S.A. // Physics Procedia. 2011. Vol. 11. P. 95.Migas D.B. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67, № 20. P. 205203 (7).Migas D.B. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67, № 20. P. 205203 (7).Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, № 16. P. 11169-11186.Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, № 16. P. 11169-11186.Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 3865.Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 3865.Blaha P., Schwarz K., Madsen G.K.H. et. al. WIEN2k, An Augmented Plane WaVe + Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties. Austria, 2001.Blaha P., Schwarz K., Madsen G.K.H. et. al. WIEN2k, An Augmented Plane WaVe + Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties. Austria, 2001.Tran F., Blaha P. // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 102. P. 226401.Tran F., Blaha P. // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 102. P. 226401.Tran F., Blaha P. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 235118.Tran F., Blaha P. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 235118.Wen C., Nonomura T., Kato A. et. al. // Physics Procedia. 2011. Vol. 11. P. 106.Wen C., Nonomura T., Kato A. et. al. // Physics Procedia. 2011. Vol. 11. P. 106.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.