Цаладонов А. Д., магистрант каф. микро- и наноэлектроники,
Минск.
Tsaladonov A. D., Master’s Student at the Micro- and Nanoelectronics Department,
Minsk.
Ревенько Д. В., магистрант каф. микро- и наноэлектроники,
Минск.
Revenko D. V., Master’s Student at the Micro- and Nanoelectronics Department,
Minsk.
Биран Сергей Андреевич, ст. преп. каф. микро- и наноэлектроники,
220013, Минск, ул. П. Бровки, 6.
Тел.: +375 17 293-88-90
Biran Siarhei Andreevich, Senior Lecturer at the Department of Micro- and Nanoelectronics,
6, P. Brovki St., Minsk, 220013.
Тel.: +375 17 293-88-90
Короткевич А. В., канд. техн. наук, доц., доц. каф. микро- и наноэлектроники,
Минск.
Korotkevich A. V., Cand. Sci. (Tech.), Associate Professor, Associate Professor at the Department of Micro- and Nanoelectronics,
Minsk.
Новиков П. Э., инж.-электрон. науч.-исслед. лаб. «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем»,
Минск.
Novikov P. E., Electronics Engineer of the R&D Laboratory “CAD in Micro- and Nanoelectronics Systems”,
Minsk.
Корсак К. В., мл. науч. сотр. науч.-исслед. лаб. «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем»,
Минск.
Korsak K. V., Junior Researcher of the R&D Laboratory “CAD in Micro- and Nanoelectronics Systems”,
Minsk.
Развитие технологий 2,5D- и 3D-интеграций кристаллов предъявляет к корпусам изделий микроэлектроники повышенные требования. Для изготовления корпусов перспективным материалом является анодный оксид алюминия, который позволяет формировать межслойные вертикальные электрические соеди нения различных слоев без дополнительных операций создания отверстий в межслойной изоляции. Это дает возможность получать на поверхности последующие слои с хорошей планаризацией. В статье рассмотрен способ изготовления подложек из пористого анодного оксида алюминия с изолированными токопроводящими площадками с помощью сквозного локального анодирования алюминия. Приведена методика исследования изоляционных свойств полученных диэлектрических подложек с различными способами улучшения качества изоляции токопроводящих каналов. Представлены результаты исследования токов утечки изолированных токопроводящих каналов в зависимости от приложенного напряжения.
The development of 2.5D and 3D crystal integration technologies imposes increased requirements on the housings of microelectronic products. A promising material for the manufacture of housings is anodic aluminum oxide, which allows the formation of interlayer vertical electrical connections of different layers without additional operations of creating holes in the interlayer insulation. This makes it possible to obtain subsequent layers on the surface with good planarization. The article considers a method for manufacturing substrates from porous anodic aluminum oxide with insulated conductive pads using through local anodizing of aluminum. A metho dology for studying the insulating properties of the obtained dielectric substrates with various methods for improving the quality of insulation of conductive channels is presented. The results of a study of leakage currents of isolated conductive channels depending on the applied voltage are presented.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.