Проведено моделирование оптических процессов в структуре тонкопленочного ИК-светодиода методом конечной разности во временной области. Исследованы такие параметры, как пропускание, эффективность распространения электромагнитных волн в диапазоне 1,2–1,4 мкм. Смоделировано контрольное устройство со слоем оксида индия-олова (ITO) в качестве прозрачного проводящего электрода. Рассмотрена замена слоя ITO на слой оксида олова, легированного фтором (FTO). Установлено, что при такой замене коэффициент пропускания при прохождении ИК-излучением функциональных слоев FTO увеличивается до 70 %, а угловое распределение Е2 – на 10° в сравнении с устройством со слоем ITO. В связи с чем целесообразно заменять слой прозрачного проводящего электрода ITO на слой FTO.
The optical processes in the structure of a thin-film IR LED have been simulated using the finite difference method in the time domain. The parameters such as transmission and propagation efficiency of electromagnetic waves in the range of 1.2–1.4 μm have been investigated. A control device with an indium tin oxide (ITO) layer as a transparent conducting electrode has been simulated. The replacement of the ITO layer with a fluorine-doped tin oxide (FTO) layer has been considered. It has been found that with such a replacement, the transmittance of IR radiation passing through the FTO functional layers increases to 70 %, and the angular distribution of E2 increases by 10° compared to a device with an ITO layer. Thus, it is advisable to replace the layer of the transparent conducting ITO electrode with the FTO layer.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.