bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-402Research ArticleСтатьиМЕМБРАНЫ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СОДЕРЖАЩИЕ КСЕРОГЕЛЬ, ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ФОТОКАТАЛИЗАPOROUS ANODIC ALUMINA MEMBRANES WITH XEROGEL FOR LUMINESCENCE AND PHOTOCATALYSISГапоненкоН. В.GaponenkoN. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201503062019011822Copyright © Гапоненко Н.В., 20192019Гапоненко Н.В.Gaponenko N.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/402

Приведена методика синтеза мембраны пористого анодного оксида алюминия, содержащей аморфный ксерогель, соответствующий составу титаната стронция. Мембрана приготовленная в электролите щавелевой кислоты и демонстрирует интенсивную синюю фотолюминесценцию с широкой полосой с максимумом около 400 нм после термообработки при температуре 700 °С как с ксерогелем, так и без него. Обсуждается возможное влияние кислородных вакансий в структурах мембрана/ксерогель на их люминесценцию и фотокаталитическую активность.

The method of synthesis of porous anodic alumina membrane with amorphous xerogel corresponding to chemical content of SrTiO3 is reported. The membrane was prepared in oxalic acid electrolyte and revealed intensive blue photoluminescence with a broad band at 400 nm after heat treatment at 700 °С either with or without xerogel. Possible influence of oxygen vacancies in the structures membrane/xerogel on their luminescence and photocatalytic activity is reported.

золь-гельтитанат стронциялюминесценцияфотокатализReferencesЛыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Мн., 2002.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Мн., 2002.Позняк А.А. Модифицированный пористый анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Минск, 2007.Позняк А.А. Модифицированный пористый анодный оксид алюминия и композитные материалы на его основе. Минск, 2007.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Сокол В.А. Анодные оксиды алюминия. Минск, 2011.Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Минск, 2003.Гапоненко Н.В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Минск, 2003.Shingubara S. // J. of Nanoparticle Research. 2003. Vol. 5. P. 17-30.Shingubara S. // J. of Nanoparticle Research. 2003. Vol. 5. P. 17-30.Борисевич Н.А., Верещагин В.Г., Валидов М.А. Инфракрасные фильтры. Минск, 1971.Борисевич Н.А., Верещагин В.Г., Валидов М.А. Инфракрасные фильтры. Минск, 1971.Верещагин В.Г., Дынич Р.А., Понявина А.Н. // Оптика и спектроскопия. 1999. Т. 87. №1. C. 126-131Верещагин В.Г., Дынич Р.А., Понявина А.Н. // Оптика и спектроскопия. 1999. Т. 87. №1. C. 126-131Гапоненко Н.В., Молчан И.С., Гапоненко С.В. и др. // Журнал прикладной спектроскопии 2003. Т. 70, № 1. C. 57-61Гапоненко Н.В., Молчан И.С., Гапоненко С.В. и др. // Журнал прикладной спектроскопии 2003. Т. 70, № 1. C. 57-61Du Y., Cai W.L., Mo C.M. et. al. // Applied Physics Letters. 1999. Vol. 74, № 20. P. 2951-2953.Du Y., Cai W.L., Mo C.M. et. al. // Applied Physics Letters. 1999. Vol. 74, № 20. P. 2951-2953.Belca I., Kasalica B., Zekovic Lj. et. al. // Electrochimica Acta. 1999. Vol. 45. P. 993-996.Belca I., Kasalica B., Zekovic Lj. et. al. // Electrochimica Acta. 1999. Vol. 45. P. 993-996.Wu J.H., Wu X.L., Tang N. et. al. // Appl. Phys. A. 2001. Vol. 72. P. 735-737.Wu J.H., Wu X.L., Tang N. et. al. // Appl. Phys. A. 2001. Vol. 72. P. 735-737.Vrublevsky I., Chernyakova K., Ispas A. et. al.// J. of Luminescence. 2011. Vol. 131. P. 938-942.Vrublevsky I., Chernyakova K., Ispas A. et. al.// J. of Luminescence. 2011. Vol. 131. P. 938-942.Gaponenko N.V., Kortov V.S., Rudenko M.V. et. al. // J.of Applied Physics. 2012. Vol. 111. P. 103101 (6 pages).Gaponenko N.V., Kortov V.S., Rudenko M.V. et. al. // J.of Applied Physics. 2012. Vol. 111. P. 103101 (6 pages).Masuda H., Ohya M., Ason H. et. al. // Japan. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38, Part 2, № 12 A P. L1403-L1405.Masuda H., Ohya M., Ason H. et. al. // Japan. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38, Part 2, № 12 A P. L1403-L1405.Lutich A. A., Gaponenko S. V., Gaponenko N. V. et. al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4, № 9. P. 1755-1758.Lutich A. A., Gaponenko S. V., Gaponenko N. V. et. al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4, № 9. P. 1755-1758.Linnik O., Smirnova N., Zhukovskiy M. et. al. // Adv. Sci. Eng. Med. 2013. Vol. 5, № 4. P. 371-376.Linnik O., Smirnova N., Zhukovskiy M. et. al. // Adv. Sci. Eng. Med. 2013. Vol. 5, № 4. P. 371-376.Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2004. Т.46, Вып 12. С. 2143-2147.Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров С.В. и др. // Физика твердого тела. 2004. Т.46, Вып 12. С. 2143-2147.Poznyak S.K., Talapin D.V., Kulak A.I. // J. Phys. Chem. B. 2001. Vol. 105. P. 4816-4823.Poznyak S.K., Talapin D.V., Kulak A.I. // J. Phys. Chem. B. 2001. Vol. 105. P. 4816-4823.Сохраби Анараки Х., Гапоненко Н.В., Руденко М.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 12. C. 1724-1726.Сохраби Анараки Х., Гапоненко Н.В., Руденко М.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 12. C. 1724-1726.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.