<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-401</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>SIGNIFICANCE RESEARCH OF DARVISH MOBILITY MODEL PARAMETERS FOR THE CHARGE TRANSPORT DESCRIPTION IN NANOSCALE MOSFETS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Боровик</surname><given-names>А. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Borovik</surname><given-names>A. M.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2015</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>1</issue><fpage>12</fpage><lpage>17</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Боровик А.М., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Боровик А.М.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Borovik A.M.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/401">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/401</self-uri><abstract><p>С использованием методики отсеивающих экспериментов определены наиболее значимые параметры модели подвижности Дарвиша. Показана возможность оптимизации диффузионно-дрейфовой модели с целью достижения адекватности результатов моделирования наноразмерных МОП-структур.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Using the methodology of screening experiments the most significant parameters of the Darwish mobility model are identified. The possibility of optimizing the drift-diffusion model in order to achieve the adequacy of the simulation results of nanoscale MOS structures.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>наноразмерный МОП-транзистор</kwd><kwd>компьютерное моделирование</kwd><kwd>отсеивающий эксперимент</kwd><kwd>модель подвижности Дарвиша</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ATLAS User’s Manual. Device simulation software. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 01.09.2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">ATLAS User’s Manual. Device simulation software. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 01.09.2014.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // Journal of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // Journal of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Darwish M., Lentz J.L., Pinto M.R. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. Vol. 44 (9). P. 1529-1538.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Darwish M., Lentz J.L., Pinto M.R. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. Vol. 44 (9). P. 1529-1538.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Луизова Л.А. От постановки задачи до принятия решения. Петрозаводск, 2002.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Луизова Л.А. От постановки задачи до принятия решения. Петрозаводск, 2002.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Engineering Statistics Handbook. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.itl.nist.gov/div898/handbook/index.htm. - Дата доступа: 01.09.2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Engineering Statistics Handbook. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.itl.nist.gov/div898/handbook/index.htm. - Дата доступа: 01.09.2014.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Plackett R. L., Burman J. P. // Biometrika. 1946. Vol. 33. P. 305-325.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Plackett R. L., Burman J. P. // Biometrika. 1946. Vol. 33. P. 305-325.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">StatSoft. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.statsoft.ru/home/textbook/default.htm. - Дата доступа: 01.09.2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">StatSoft. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.statsoft.ru/home/textbook/default.htm. - Дата доступа: 01.09.2014.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
