аспирант кафедры микро- и наноэлектроники
г. Минск
Postgraduate at Micro- and Nanoelectronics Department
Minsk
магистрант кафедры микро- и наноэлектроники
г. Минск
Kiryl V. Korsak, Master’s Student at Micro- and Nanoelectronics Department
Minsk
магистрант кафедры микро- и наноэлектроники
г. Минск
Pavel E. Novikov, Master’s Student at Micro- and Nanoelectronics Department
Minsk
Ловшенко Иван Юрьевич, заведующий научно-исследовательской лабораторией «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем» (НИЛ 4.4) НИЧ
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Тел.: +375 17 293-88-90
Lovshenko Ivan Yur’evich, Head of the Research La boratory “CAD in Micro- and Nanoelectronics” (Research Lab. 4.4) of R&D Department
220013, Minsk, P. Brovki St., 6
Теl.: +375 17 293-88-90
Minsk
к. т. н., доцент, доцент кафедры электронной техники и технологии, начальник центра «Электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур» (Центр 9.1) НИЧ
г. Минск
Sergey M. Zavadski, Саnd. of Sci., Associate Professor, Associate Professor at the Department of Electronic Engineering and Technology, Head of “Electronic Technologies and Technical Diagnostics of Technological Media and Solid-State Structures” (Center 9.1) of R&D Department
Minsk
к. т. н., доцент, доцент кафедры электронной техники и технологии, в. н. с. Центра 9.1 НИЧ
г. Минск
Dzmitry A. Golosov, Саnd. of Sci., Associate Professor, Associate Professor at the Department of Electronic Engineering and Technology, Leading Researcher at the Center 9.1 of R&D Department
Minsk
к. т. н., доцент, доцент кафедры микро- и наноэлектроники, с. н. с. лаборатории «Устройства обработки и отображения информации» (НИЛ 4.7) НИЧ
г. Минск
Andrey A. Stepanov, Саnd. of Sci., Associate Professor, Associate Professor at Micro- and Nanoelectronics Department, Senior Researcher at the Research Laboratory “Information Processing and Display Devices” (Research Lab. 4.7) of R&D Department
Minsk
н. с. лаборатории НИЛ 4.7 НИЧ
г. Минск
Aliaksandr А. Hubarevich, Senior Researcher at the Research Lab. 4.7 of R&D Department
Minsk
к. ф.-м. н., заместитель заведующего отраслевой лабораторией новых технологий и материалов
г. Минск
Vladimir V. Kolos, Саnd. of Sci., Deputy Head of the Industry Laboratory of New Technologies and Materials
Minsk
к. т. н., доцент, заведующий отраслевой лабораторией новых технологий и материалов
г. Минск
Yaroslav A. Solovjov, Cand of Sci., Associate Professor, Head of the Industry Laboratory of New Technologies and Materials
Minsk
инж. отраслевой лаборатории новых технологий и материалов
г. Минск
Dzmitry S. Liauchuk, Engineer of the Industry Laboratory of New Technologies and Materials
Minsk
к. т. н., доцент, проректор по научной работе, научный руководитель НИЛ 4.4 НИЧ
г. Минск
Viktor R. Stempitsky, Cand of Sci., Associate Professor, Vice-Rector for Academic Affairs, Adviser of the Research Lab. 4.4
Minsk
Повышенный интерес к применению неохлаждаемых тепловых детекторов болометрического типа (микроболометров) в инфракрасном или терагерцовом поле обнаружения обоснован их эксплуатационными и технологическими характеристиками, в частности: относительно низкой стоимостью изготовления, высокой эффективностью обнаружения, совместимостью с кремниевой КМОП-технологией, работоспособностью при комнатной температуре. Характеристики таких детекторов зависят от оптимизации критических параметров, которые определяются геометрией конструкции, а также электрическими, оптическими и тепловыми свойствами применяемых материалов. Определение оптических параметров является одним из решающих факторов при проектировании приборных структур микроболометров. В статье исследованы оптические параметры тонких пленок конструкционных материалов микроболометра на основе термочувствительной пленки оксида ванадия, изготовленных в ОАО «ИНТЕГРАЛ». Приведены результаты определения посредством применения метода отражения-передачи оптических констант (коэффициентов преломления n и поглощения k) тонких пленок по кривой пропускания. Выполнено сравнение результатов компьютерного моделирования спектров пропускания, отражения и поглощения с учетом полученных значений коэффициентов n и k с данными натурного эксперимента.
The increased interest in utilizing uncooled thermal bolometer-type detectors (microbolometers) within the infrared or terahertz detection field is justified by their operational and technological characteristics, in particular: relatively low manufacturing cost, high detection efficiency, compatibility with silicon CMOS technology, and operation at room temperature. The performance of such detectors depends on optimizing critical parameters, which are dictated by both the geometrical design and the electrical, optical, and thermal properties of the materials used. The determination of optical parameters stands as a decisive factor in the design of microbolometer structures. This article delves into the examination of optical parameters of thin films of structural materials of microbolometer based on thermosensitive vanadium oxide film manufactured at JSC “INTEGRAL”. The investigation showcases the results of determining optical constants (refractive indexes n and absorption coefficients k) of thin films from the transmission curve by applying the reflection-transmission method. Furthermore, a comparison is carried out between the results of computer modeling of the transmission, reflection and absorption spectra – taking into account the obtained values of the coefficients n and k – and the empirical data from the in-situ experiment.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.