Емельянов Виктор Викторович, аспирант кафедры электронной техники и технологии
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Тел.: + 375 29 688-75-76
Emelyanov Victor Victorovich, Postgraduate at the Electronic Engineering and Technology Department
220013, Minsk, P. Brovki St., 6
Tel.: + 375 29 688-75-76
Пассивация пленочной токопроводящей системы интегральных схем делает ее более надежной за счет повышения устойчивости к электромиграции. Рассмотрена задача по изготовлению пассивирующего слоя на сформированной токопроводящей системе интегральной схемы, получаемой в едином технологическом цикле, включающем изотропное плазмохимическое травление слоя сплава алюминия на глубину 8–12 нм и изотропное плазмохимическое азотирование поверхности полученных токоведущих дорожек до достижения толщины нитрида алюминия 10–50 нм. Данная задача позволяет выполнить формирование на кремниевой подложке с активными областями диэлектрической пленки на основе диоксида кремния, травление в диэлектрической пленке контактных окон к активным элементам подложки, осаждение барьерного слоя толщиной 0,005–0,050 мкм, нанесение пленки сплава алюминия толщиной 0,5–2,0 мкм и многое другое.
Passivation of the film conductive system of integrated circuits makes it more reliable by increasing the resistance to electromigration. The problem of manufacturing a passivating layer on the formed current-conducting system of an integrated circuit, obtained in a single technological cycle, including isotropic plasma-chemical etching of an aluminum alloy layer to a depth of 8–12 nm and isotropic plasma-chemical nitriding of the surface of the obtained current-carrying tracks until the aluminum nitride thickness from 10 to 50 nm, is considered. This task makes it possible to form a dielectric film based on silicon dioxide on a silicon substrate with active regions, etch contact windows to active elements of the substrate in the dielectric film, deposit a barrier layer 0.005–0.050 µm thick, and deposit an aluminum alloy film 0.5–2.0 um and much more.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.