bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-350Research ArticleСтатьиМЕТОДИКА ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ПО МОДЕЛИ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО ПАРАМЕТРАFORECASTING METHOD OF PARAMETRIC Reliability of electronic devices BY MODEL OF functional parameter'S DEGRADATIONБоровиковС. М.BorovikovS. M.noemail@neicon.ruШнейдеровЕ. Н.ShneiderovE. N.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20140306201906511Copyright © Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., 20192019Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н.Borovikov S.M., Shneiderov E.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/350

Систематизирован метод получения модели, описывающей закономерность деградации функционального параметра выборки изделий электронной техники (ИЭТ). В качестве модели деградации рассматривается условная (для интересующей наработки) плотность распределения функционального параметра выборки ИЭТ. На основе метода разработана методика прогнозирования параметрической надежности новых однотипных выборок ИЭТ, не принимавших участие в предварительных исследованиях на этапе получения модели деградации функционального параметра. Прогноз получают в виде вероятности того, что функциональный параметр любого экземпляра новой выборки ИЭТ для заданной наработки будет иметь значение в пределах указанных норм.

The method of obtaining the model, describing degradation regularity for function parameter of electronic device (ED) sample, was systematized. The probability distribution function (for operating time of interest) of function parameter of ED sample is considered as a model of degradation. On the basis of the method the technique for prediction of parametric reliability of new ED samples was developed. It can be used for new samples of ED of the same type, but which did not participate in preliminary research/investigations. Prediction is obtained as the probability of the fact, when functional parameter of any device in a sample will have the value within the specified limits after specified operating time.

изделия электронной техникипостепенные отказыпараметрическая надежностьмодель деградации функционального параметрагрупповое прогнозированиеметодика прогнозированияReferencesГОСТ 27.002-89. Надежность в технике. Основные понятия. Термины и определения.ГОСТ 27.002-89. Надежность в технике. Основные понятия. Термины и определения.Боровиков С.М. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности. Минск, 1998.Боровиков С.М. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности. Минск, 1998.Боровиков С.М., Цырельчук И.Н., Шнейдеров Е.Н. и др. Прогнозирование надежности изделий электронной техники. Минск, 2010.Боровиков С.М., Цырельчук И.Н., Шнейдеров Е.Н. и др. Прогнозирование надежности изделий электронной техники. Минск, 2010.European Organization of the Quality Control Glassary. Bern, 1988.European Organization of the Quality Control Glassary. Bern, 1988.Сынаров В.Ф., Пивоварова Р.П., Петров Б.К. и др. Физические основы надежности интегральных схем. М., 1976.Сынаров В.Ф., Пивоварова Р.П., Петров Б.К. и др. Физические основы надежности интегральных схем. М., 1976.Боровиков С.М., Шалак А.В., Бересневич А.И. и др. // Докл. НАН Беларуси. 2007. Т. 51, № 6. С. 105-109.Боровиков С.М., Шалак А.В., Бересневич А.И. и др. // Докл. НАН Беларуси. 2007. Т. 51, № 6. С. 105-109.Боровиков С. М., Шалак А.В., Бересневич А.И. и др. // Докл. БГУИР. 2008. № 6 (36). С. 32-39.Боровиков С. М., Шалак А.В., Бересневич А.И. и др. // Докл. БГУИР. 2008. № 6 (36). С. 32-39.Боровиков С. М., Шнейдеров Е.Н. // Матер. XVI междунар. науч.-техн. конф. «Современные средства связи». Минск, 27-29 сентября 2011 г. С. 81.Боровиков С. М., Шнейдеров Е.Н. // Матер. XVI междунар. науч.-техн. конф. «Современные средства связи». Минск, 27-29 сентября 2011 г. С. 81.Вентцель Е. С. Теория вероятностей. М., 1969.Вентцель Е. С. Теория вероятностей. М., 1969.Загребельный В.П., Моисеев Н.Г., Нойверт Л.М. // Электронная техника. Сер. 8. Вып. 2(139). 1990. С. 41-45.Загребельный В.П., Моисеев Н.Г., Нойверт Л.М. // Электронная техника. Сер. 8. Вып. 2(139). 1990. С. 41-45.Quick Logic Reliability Report / рASIC, Vialink and Quick Logic Corp. Orleans, 1998.Quick Logic Reliability Report / рASIC, Vialink and Quick Logic Corp. Orleans, 1998.Bipolar Power Transistors Data Book 1998 / TEMIC Semiconductor GmbH. DGT-005-1297, 1997.Bipolar Power Transistors Data Book 1998 / TEMIC Semiconductor GmbH. DGT-005-1297, 1997.Боровиков С. М., Шнейдеров Е.Н. // Докл. БГУИР. № 7 (61). 2011. С. 31-37.Боровиков С. М., Шнейдеров Е.Н. // Докл. БГУИР. № 7 (61). 2011. С. 31-37.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.